Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Маркируется зелёной точкой на корпусе.

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n СВЧ усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначен для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности класса С умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100-400 МГц при напряжении питания 12,6 В.

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n переключательный. Предназначены для быстродействующих импульсных и высокочастотных усилительных схем.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях НЧ, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные маломощные. Предназначены для использования в ключевых и линейных гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках радиоэлектронной герметизированной аппаратуры.

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n переключательные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в ключевых схемах, генераторах строчной развёртки, электронных регуляторах напряжения.

Транзисторы кремниевые эпитаксиальные n-p-n переключательные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в схемах выходных каскадов строчной развёртки телевизоров, систем зажигания двигателей внутреннего сгорания.

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n высокочастотные усилительные мощные. Предназначены для работы в выходных каскадах видеоусилителей телевизионных приёмников цветного и чёрно-белого изображения.

Транзисторы кремниевые диффузионно-сплавные n-p-n мощные. Предназначены для работы в схемах кадровой и строчной развёрток, вторичных источниках питания.