|
|
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Транзисторы типа: КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные маломощные: КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1. Предназначены для использования в ключевых и линейных гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках радиоэлектронной герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами с защитным покрытием.
Масса транзистора без упаковочной тары не более 0,01 грамма.
 Чертёж транзистора КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1Электрические параметры КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1.
| Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при UКБ=5 В, IЭ=10 мА |
| КТ215А-1 не менее |
20 |
| КТ215Б-1 |
30-90 |
| КТ215В-1, КТ215Г-1 |
40-120 |
| при UКБ=1 В, IЭ=40 мкА, не менее |
| КТ215Д-1 |
80 |
| КТ215Е-1 |
40 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=10 мА, IБ=1 мА КТ215Д-1, КТ215Е-1, не более |
0,6 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=10 мА, IБ=1 мА КТ215Д-1, КТ215Е-1, не более |
1,2 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IБ=1 мА, IЭ=0 КТ215Д-1, КТ215Е-1 |
0,3-2,5 В |
| Входное сопротивление в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала при UКЭ=5 В, IК=2 мА, ƒ=800 Гц |
1,2-10 кОм |
| типовое значение |
1,5 кОм |
| Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0,5 В, ƒ=500 кГц |
9,6-100 пФ |
| типовое значение |
40 пФ |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В, ƒ=500 кГц |
9,5-50 пФ |
| типовое значение |
12 пФ |
| Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=10 кОм, UКЭ=30 В, Т=84,85°С, не более |
100 мА |
Предельные эксплуатационные данные КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1.
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер |
| КТ215А-1, КТ215Б-1 |
80 В |
| КТ215В-1 |
60 В |
| КТ215Г-1 |
40 В |
| КТ215Д-1 |
30 В |
| КТ215Е-1 |
20 В |
| Постоянное напряжение эмиттер-база |
5 В |
| Постоянный ток коллектора |
50 мА |
| Импульсный ток коллектора при τи≤10 мс, Q≥100 |
100 мА |
| Постоянный ток базы |
20 мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора |
| при Т=34,85°С |
50 мВт |
| при Т=84,85°С |
20 мВт |
| Температура перехода |
124,85°С |
| Тепловое сопротивление переход-кристалл |
0,1 К/мВт |
| Температура окружающей среды |
От -40,15 до 84,85°С |
Допустимая температура пайки транзисторов в гибридные схемы не должна превышать 158,85°С в течение 30 секунд.
 Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера и зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера и зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры.  Зависимость коэффициента шума от тока эмиттера и зависимость коэффициента шума от выходного сопротивления генератора
Зависимость коэффициента шума от тока эмиттера и зависимость коэффициента шума от выходного сопротивления генератора. |
