Транзисторы типа: КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные маломощные: КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1. Предназначены для использования в ключевых и линейных гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках радиоэлектронной герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами с защитным покрытием.
Масса транзистора без упаковочной тары не более 0,01 грамма.
Электрические параметры КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1.
| Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при UКБ=5 В, IЭ=10 мА | |
| КТ215А-1 не менее | 20 |
| КТ215Б-1 | 30-90 |
| КТ215В-1, КТ215Г-1 | 40-120 |
| при UКБ=1 В, IЭ=40 мкА, не менее | |
| КТ215Д-1 | 80 |
| КТ215Е-1 | 40 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=10 мА, IБ=1 мА КТ215Д-1, КТ215Е-1, не более | 0,6 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=10 мА, IБ=1 мА КТ215Д-1, КТ215Е-1, не более | 1,2 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IБ=1 мА, IЭ=0 КТ215Д-1, КТ215Е-1 | 0,3-2,5 В |
| Входное сопротивление в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала при UКЭ=5 В, IК=2 мА, ƒ=800 Гц | 1,2-10 кОм |
| типовое значение | 1,5 кОм |
| Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0,5 В, ƒ=500 кГц | 9,6-100 пФ |
| типовое значение | 40 пФ |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В, ƒ=500 кГц | 9,5-50 пФ |
| типовое значение | 12 пФ |
| Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=10 кОм, UКЭ=30 В, Т=84,85°С, не более | 100 мА |
Предельные эксплуатационные данные КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1.
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер | |
| КТ215А-1, КТ215Б-1 | 80 В |
| КТ215В-1 | 60 В |
| КТ215Г-1 | 40 В |
| КТ215Д-1 | 30 В |
| КТ215Е-1 | 20 В |
| Постоянное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Постоянный ток коллектора | 50 мА |
| Импульсный ток коллектора при τи≤10 мс, Q≥100 | 100 мА |
| Постоянный ток базы | 20 мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | |
| при Т=34,85°С | 50 мВт |
| при Т=84,85°С | 20 мВт |
| Температура перехода | 124,85°С |
| Тепловое сопротивление переход-кристалл | 0,1 К/мВт |
| Температура окружающей среды | От -40,15 до 84,85°С |
Допустимая температура пайки транзисторов в гибридные схемы не должна превышать 158,85°С в течение 30 секунд.
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера и зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры.
Зависимость коэффициента шума от тока эмиттера и зависимость коэффициента шума от выходного сопротивления генератора.
Вернуться назад