|
|
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Транзисторы типа: 2Т808А, КТ808А
Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n переключательные низкочастотные мощные: 2Т808А, КТ808А. Предназначены для работы в ключевых схемах, генераторах строчной развёртки, электронных регуляторах напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.
Масса транзистора не более 22 грамма, накидного фланца 12 грамм.
 Чертёж транзистора 2Т808А, КТ808АХарактеристика транзистора КТ808А, 2Т808А
Электрические параметры.
| Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=6 А, IБ=0,6 А |
1-2,5 В |
| типовое значение |
1,4 В |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=3 В, IК=6 А |
| при Т=24,85°С |
10-50 |
| типовое значение |
15 |
| при Т=124,85°С 2Т808А и Т=99,85°С КТ808А |
10-150 |
| при Т=-60,15°С |
6-50 |
Отношение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
при Т=124,85°С к статическому коэффициенту при Т=24,85°С, не более |
3 |
| Время рассасывания при UКЭ=15 В, IК=6 А, не более |
2 мкс |
| Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=3,5 МГц, UКЭ=10 В, IЭ=0,5 А, не менее |
2,4 |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКЭ=10 В, ƒ=1 МГц, не более |
500 пФ |
| Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=10 Ом |
| при Т=24,85 и -60,15°С, UКЭ=200 В 2Т808А и UКЭ=120 В КТ808А, не более |
3 мА |
| типовое значение |
0,1 мА |
| при Т=124,85°С, UКЭ=160 В 2Т808А, не более |
20 мА |
| при Т=99,85°С, UКЭ=120 В КТ808А, не более |
20 мА |
| Обратный ток эмиттера при UБЭ=4 В, не более |
50 мА |
| типовое значение |
4 мА |
Предельные эксплуатационные данные 2Т808А, КТ808А.
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ=10 Ом, Тп≤99,85°С |
120 В |
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при UБЭ=2 В или
RБЭ=10 Ом, τи≤500 мкс, Q≥6, Тп≤99,85°С |
250 В |
| Постоянное напряжение эмиттер-база при Т=213-398 К |
4 В |
| Постоянный ток коллектора при Т=213-398 К |
10 А |
| Ток базы при Т=213-398 К |
4 А |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора |
| при Тк=213-323 К с теплоотводом |
50 Вт |
| при Т=213-323 К без теплоотвода |
5 Вт |
| Тепловое сопротивление переход корпус |
2 К/Вт |
| Температура перехода |
149,85°С |
| Температура окружающей среды |
| 2Т808А |
От -60,15 до Тк=124,85°С |
| КТ808А |
От Т=-60,15 до Тк=99,85°С |
Примечания. 1. Постоянное и импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Тп=373-423 К снижается линейно на 10% через каждые 10 К.
Не рекомендуется работа транзисторов КТ808А, 2Т808А при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всём диапазоне температур.
Для снижения контактного теплового сопротивления между корпусом и теплоотводом необходимо применять смазку из невысыхающего масла или тонкую фольгу из мягкого металла.
2. Механические усилия на выводы транзисторов не должны превышать 19,62 Н в осевом и 3,43 Н в перпендикулярном направлениях к оси вывода. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм от корпуса транзистора.
 Зависимость максимально допустимой рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса и входные характеристики
Зависимость максимально допустимой рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса и входные характеристики.  1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса. 3. Зависимость статического коэффициента передачи тока корпуса. 4. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база
1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса. 3. Зависимость статического коэффициента передачи тока корпуса. 4. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база.  Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы и область максимальных режимов
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы и область максимальных режимов. |
