Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные мощные: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 1 грамма.
Чертёж транзистора КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814ГЭлектрические параметры.
| Граничное напряжение при IЭ=50 мА, τи≤300 мкс, Q≥100, не менее |
| КТ814А |
25 В |
| КТ814Б |
40 В |
| КТ814В |
60 В |
| КТ814Г |
80 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,05 А, не более |
0,6 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,05 А, не более |
1,2 В |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=2 В, IЭ=0,15 А, не менее |
| КТ814А, КТ814Б, КТ814В |
40 |
| КТ814Г |
30 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока при UКЭ=5 В, IЭ=0,03 А, не менее |
3 МГц |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКЭ=5 В, ƒ=465 кГц, не более |
60 пФ |
| Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0,5 В, ƒ=465 кГц, не более |
75 пФ |
| Обратный ток коллектора при UКБ=40 В, не более |
| при Тк≤298 К |
50 мкА |
| при Тк=373 К |
1000 мкА |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤100 Ом |
| КТ814А |
40 В |
| КТ814Б |
50 В |
| КТ814В |
70 В |
| КТ814Г |
100 В |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при IБ=0 |
| КТ814А |
25 В |
| КТ814Б |
40 В |
| КТ814В |
60 В |
| КТ814Г |
80 В |
| Постоянное напряжение база-эмиттер |
5 В |
| Постоянный ток коллектора |
1,5 А |
| Импульсный ток коллектора при τи≤10 мс, Q≥100 |
3 А |
| Постоянный ток базы |
0,5 А |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при Тк≤298 К |
10 Вт |
| без теплоотвода при Т=233-298 К |
1 Вт |
| Температура перехода |
24,85°С |
| Температура окружающей среды |
От -40,15 до Тк=99,85°С |
Примечания: 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при Т=298÷373 К снижается линейно на 0,01 Вт через 1 К и с теплоотводом при Тк=298-373 К на 0,1 Вт через 1 К.
2. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса.
