Транзисторы > Транзисторы типа: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г

Транзисторы типа: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г
Транзисторы типа: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные мощные: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 1 грамма.

Чертёж транзистора КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814ГЧертёж транзистора КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г

Электрические параметры.

Граничное напряжение при IЭ=50 мА, τи≤300 мкс, Q≥100, не менее
КТ814А 25 В
КТ814Б 40 В
КТ814В 60 В
КТ814Г 80 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,05 А, не более 0,6 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,05 А, не более 1,2 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=2 В, IЭ=0,15 А, не менее
КТ814А, КТ814Б, КТ814В 40
КТ814Г 30
Граничная частота коэффициента передачи тока при UКЭ=5 В, IЭ=0,03 А, не менее 3 МГц
Ёмкость коллекторного перехода при UКЭ=5 В, ƒ=465 кГц, не более 60 пФ
Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0,5 В, ƒ=465 кГц, не более 75 пФ
Обратный ток коллектора при UКБ=40 В, не более
при Тк≤298 К 50 мкА
при Тк=373 К 1000 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤100 Ом
КТ814А 40 В
КТ814Б 50 В
КТ814В 70 В
КТ814Г 100 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при IБ=0
КТ814А 25 В
КТ814Б 40 В
КТ814В 60 В
КТ814Г 80 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора 1,5 А
Импульсный ток коллектора при τи≤10 мс, Q≥100 3 А
Постоянный ток базы 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при Тк≤298 К 10 Вт
без теплоотвода при Т=233-298 К 1 Вт
Температура перехода 24,85°С
Температура окружающей среды От -40,15 до Тк=99,85°С

Примечания: 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при Т=298÷373 К снижается линейно на 0,01 Вт через 1 К и с теплоотводом при Тк=298-373 К на 0,1 Вт через 1 К.

2. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено.

Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектораЗависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпусаЗависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса.

Вернуться назад