Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные. Предназначены для применения при включении с общей базой в схемах усилителей мощности и генераторах на частотах от 1 до 3 ГГц при напряжении питания до 20 В герметизированной аппаратуры.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности, в том числе при амплитудной модуляции в умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n высокочастотные генераторные. Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 1,5-30 МГц при напряжении питания 28 В.

Транзистор кремниевый планарный n-p-n низкочастотный усилительный маломощный с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n СВЧ универсальный. Предназначен для работы в усилительных и импульсных схемах.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n маломощные универсальные.

Транзисторы германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные маломощные.

Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты.