Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные: КТ918А, КТ918Б. Предназначены для применения при включении с общей базой в схемах усилителей мощности и генераторах на частотах от 1 до 3 ГГц при напряжении питания до 20 В герметизированной аппаратуры. Выпускаются в керамическом корпусе с частичной герметизацией с гибкими ленточными выводами.

Масса транзистора не более 0,15 грамма.

Чертёж транзистора КТ918А, КТ918Б

Примечание. Монтаж транзистора в микросхему осуществляется путем припайки корпуса транзистора к теплоотводящей поверхности. Теплоотвод, на который монтируется транзистор, должен быть облужен оловом толщиной 10 мкм или серебром толщиной 10 мкм. Основание корпуса перед пайкой необходимо обезжирить этиловым спиртом с помощью ватного тампона.

В качестве припоя можно использовать сплавы с температурой плавления менее 149,85°С. Например, индий-серебро (3%) или индий-олово (48%) (применение других припоев не допускается). Припой прокатывается до толщины 0,05-0,07 мм и нарезается на прямоугольники размером 2,6х4 мм, обезжиривается кипячением в четырёххлористом углероде.

Место монтажа транзистора на теплоотвод смачивается спиртовым раствоворм канифоли, после чего монтируется транзистор.

Пайка транзистора на теплоотвод производится в печи с инертной атмосферой при температуре не более 199,85°С.

Пайка выводов эмиттера и коллектора производится с помощью микропаяльника мощностью не более 15 Вт на расстоянии 3 мм от корпуса. Время пайки не должно превышать 3 секунд.

Допускается пайка выводов на расстоянии менее 3 мм от корпуса, если при этом температура корпуса не превышает 169,85°С.

Изгиб выводов допускается на расстоянии не более 3 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм. При изгибе должна быть обеспечена неподвижность участка вывода между местом изгиба и корпусом прибора.