Транзисторы > Транзисторы типа: КТ918А, КТ918Б

Транзисторы типа: КТ918А, КТ918Б


Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные: КТ918А, КТ918Б. Предназначены для применения при включении с общей базой в схемах усилителей мощности и генераторах на частотах от 1 до 3 ГГц при напряжении питания до 20 В герметизированной аппаратуры. Выпускаются в керамическом корпусе с частичной герметизацией с гибкими ленточными выводами.

Масса транзистора не более 0,15 грамма.

Чертёж транзистора КТ918А, КТ918БЧертёж транзистора КТ918А, КТ918Б

Электрические параметры.

Выходная мощность при UКБ=20 В, ƒ=3 ГГц, типовое значение
КТ918А при Pвх=125 мВт 250 мВт
КТ918Б при Pвх=250 мВт 500 мВт
Коэффициент усиления по мощности, не менее 2
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=10 В, IК=100 мА, не менее
КТ918А 0,8 ГГц
КТ918Б 1,0 ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи при UКБ=10 В, IЭ=30 мА, ƒ=100 МГц, не более
КТ918А 15 нс
КТ918Б 4 нс
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=15 В, ƒ=10 МГц, не более 4,2 пФ
Ёмкость эмиттерного перехода при UБЭ=0, ƒ=10 МГц, не более 15 пФ
Обратный ток коллектора при UКБ=30 В, не более 2 мА
Обратный ток эмиттера при UБЭ=2,5 В, не более 100 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база 30 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 2,5 В
Постоянный ток коллектора 250 мА
Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (при ƒ≥1 ГГц)
при Тк≤24,85°С 2,5 Вт
при Тк=84,85°С 1,3 Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус 50 К/Вт
Температура перехода 149,85°С
Температура окружающей среды От -60,15 до 84,85°С

Примечание. Монтаж транзистора в микросхему осуществляется путем припайки корпуса транзистора к теплоотводящей поверхности. Теплоотвод, на который монтируется транзистор, должен быть облужен оловом толщиной 10 мкм или серебром толщиной 10 мкм. Основание корпуса перед пайкой необходимо обезжирить этиловым спиртом с помощью ватного тампона.

В качестве припоя можно использовать сплавы с температурой плавления менее 149,85°С. Например, индий-серебро (3%) или индий-олово (48%) (применение других припоев не допускается). Припой прокатывается до толщины 0,05-0,07 мм и нарезается на прямоугольники размером 2,6х4 мм, обезжиривается кипячением в четырёххлористом углероде.

Место монтажа транзистора на теплоотвод смачивается спиртовым раствоворм канифоли, после чего монтируется транзистор.

Пайка транзистора на теплоотвод производится в печи с инертной атмосферой при температуре не более 199,85°С.

Пайка выводов эмиттера и коллектора производится с помощью микропаяльника мощностью не более 15 Вт на расстоянии 3 мм от корпуса. Время пайки не должно превышать 3 секунд.

Допускается пайка выводов на расстоянии менее 3 мм от корпуса, если при этом температура корпуса не превышает 169,85°С.

Изгиб выводов допускается на расстоянии не более 3 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм. При изгибе должна быть обеспечена неподвижность участка вывода между местом изгиба и корпусом прибора.


Вернуться назад