Транзисторы типа: КТ918А, КТ918Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные: КТ918А, КТ918Б. Предназначены для применения при включении с общей базой в схемах усилителей мощности и генераторах на частотах от 1 до 3 ГГц при напряжении питания до 20 В герметизированной аппаратуры. Выпускаются в керамическом корпусе с частичной герметизацией с гибкими ленточными выводами.
Масса транзистора не более 0,15 грамма.
Электрические параметры.
| Выходная мощность при UКБ=20 В, ƒ=3 ГГц, типовое значение | |
| КТ918А при Pвх=125 мВт | 250 мВт |
| КТ918Б при Pвх=250 мВт | 500 мВт |
| Коэффициент усиления по мощности, не менее | 2 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=10 В, IК=100 мА, не менее | |
| КТ918А | 0,8 ГГц |
| КТ918Б | 1,0 ГГц |
| Постоянная времени цепи обратной связи при UКБ=10 В, IЭ=30 мА, ƒ=100 МГц, не более | |
| КТ918А | 15 нс |
| КТ918Б | 4 нс |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=15 В, ƒ=10 МГц, не более | 4,2 пФ |
| Ёмкость эмиттерного перехода при UБЭ=0, ƒ=10 МГц, не более | 15 пФ |
| Обратный ток коллектора при UКБ=30 В, не более | 2 мА |
| Обратный ток эмиттера при UБЭ=2,5 В, не более | 100 мкА |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-база | 30 В |
| Постоянное напряжение эмиттер-база | 2,5 В |
| Постоянный ток коллектора | 250 мА |
| Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме (при ƒ≥1 ГГц) | |
| при Тк≤24,85°С | 2,5 Вт |
| при Тк=84,85°С | 1,3 Вт |
| Тепловое сопротивление переход-корпус | 50 К/Вт |
| Температура перехода | 149,85°С |
| Температура окружающей среды | От -60,15 до 84,85°С |
Примечание. Монтаж транзистора в микросхему осуществляется путем припайки корпуса транзистора к теплоотводящей поверхности. Теплоотвод, на который монтируется транзистор, должен быть облужен оловом толщиной 10 мкм или серебром толщиной 10 мкм. Основание корпуса перед пайкой необходимо обезжирить этиловым спиртом с помощью ватного тампона.
В качестве припоя можно использовать сплавы с температурой плавления менее 149,85°С. Например, индий-серебро (3%) или индий-олово (48%) (применение других припоев не допускается). Припой прокатывается до толщины 0,05-0,07 мм и нарезается на прямоугольники размером 2,6х4 мм, обезжиривается кипячением в четырёххлористом углероде.
Место монтажа транзистора на теплоотвод смачивается спиртовым раствоворм канифоли, после чего монтируется транзистор.
Пайка транзистора на теплоотвод производится в печи с инертной атмосферой при температуре не более 199,85°С.
Пайка выводов эмиттера и коллектора производится с помощью микропаяльника мощностью не более 15 Вт на расстоянии 3 мм от корпуса. Время пайки не должно превышать 3 секунд.
Допускается пайка выводов на расстоянии менее 3 мм от корпуса, если при этом температура корпуса не превышает 169,85°С.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не более 3 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм. При изгибе должна быть обеспечена неподвижность участка вывода между местом изгиба и корпусом прибора.
Вернуться назад