|
|
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Транзисторы типа: 2Т635А, КТ635Б
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n переключательный: 2Т635А, КТ635Б. Предназначены для быстродействующих импульсных и высокочастотных усилительных схем. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 3 г.
Чертёж 2Т635А, КТ635Б
Электрические параметры 2Т635А, КТ635Б.
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=1 В, IК=500 мА |
20-150 |
| типовое значение |
40 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=500 мА, IБ=50 мА, не более |
0,5 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=500 мА, IБ=50 мА, не более |
1,2 В |
| Время выключения при IК=500 мА, IБ=50 мА, не более |
60 нс |
| типовое значение |
45 |
| Время рассасывания при IК=500 мА, IБ=50 мА, не более |
50 нс |
| Обратный ток коллектора при UКБ=60 В, не более |
10 мкА |
| Обратный ток эмиттера при UЭБ=5 В, не более |
10 мкА |
| Обратный ток коллектор-эмиттер при UКЭ=60 В, RЭБ=0, не более |
10 мкА |
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=10 В, IК=50 мА, не менее |
250 МГц |
| типовое значение |
460 МГц |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В, не более |
10 пФ |
| типовое значение |
7,4 пФ |
| Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0, не более |
90 пФ |
| Граничное напряжение при IЭ=10 мА, не менее |
45 В |
| типовое значение |
52 В |
| Постоянная времени цепи обратной связи при UКБ=10 В, IЭ=30 мА, ƒ=5 МГц типовое значение |
25 пс |
Предельные эксплуатационные данные транзисторов 2Т635А, КТ635Б.
| Постоянное напряжение коллектор-база |
60 В |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ=0 |
60 В |
| Постоянный ток коллектора |
1 А |
| Импульсный ток коллектора |
1,2 А |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора |
| при Т≤24,85°С |
0,5 Вт |
| при Т=84,85°С |
0,1 Вт |
| Температура перехода |
| 2Т635А |
149,85°С |
| КТ635Б |
124,85°С |
| Тепловое сопротивление переход-среда |
| 2Т635А |
250 К/Вт |
| КТ635Б |
190 К/Вт |
| Тепловое сопротивление переход-корпус |
| 2Т635А |
83,3 К/Вт |
| КТ635Б |
63 К/Вт |
| Температура окружающей среды |
| 2Т635А |
От -60,15 до Тк=124,85°С |
| КТ635Б |
От -45,15 до Тк=84,85°С |
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора 2Т635А, КТ635Б
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.
Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база и зависимость коэффициента шума от частоты 2Т635А, КТ635Б
Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база и зависимость коэффициента шума от частоты.
|