Транзисторы кремниевые диффузионно-сплавные n-p-n мощные: КТ801А, КТ801Б. Предназначены для работы в схемах кадровой и строчной развёрток, вторичных источниках питания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 4 грамм.
Чертёж транзистора КТ801А, КТ801Б
Электрические параметры.
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=10 В, IК=0,3 А, не менее |
10 МГц |
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IК=1 А |
КТ801А |
13-50 |
КТ801Б |
30-150 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=1 А, IБ=0,2 А, не более |
2 В |
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ≤100 Ом, не более |
КТ801А |
при UКЭ=80 В, Тк=233-298 К |
10 мА |
при UКЭ=40 В, Тк=84,85°С |
20 мА |
КТ801Б |
при UКЭ=60 В, Тк=233-298 К |
10 мА |
при UКЭ=30 В, Тк=84,85°С |
20 мА |
Обратный ток эмиттера при UЭБ=2,5 В, не более |
2 мА |
Предельные эксплуатационные данные.
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ≤100 Ом |
при Тк=233-328 К |
КТ801А |
80 В |
КТ801Б |
60 В |
при Тк=84,85°С |
КТ801А |
40 В |
КТ801Б |
30 В |
Постоянное напряжение эмиттер-база |
2,5 В |
Постоянный ток коллектора |
2 А |
Постоянный ток базы |
0,4 А |
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора |
при Тк=233-328 К |
5 Вт |
при Тк=84,85°С |
2 Вт |
Температура перехода |
149,85°С |
Температура окружающей среды |
От -40,15 до 84,85°С |
Примечание. При температуре корпуса от 54,85 до 84,85°С напряжение и рассеиваемая мощность снижаются линейно.
Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи от тока коллектора и зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора
Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи от тока коллектора и зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.