|
|
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Транзистор КТ399А кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n СВЧ усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначен для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 1 гр.
 Чертёж транзистора КТ399АЭлектрические параметры.
| Граничная частота при UКБ=5 В, IЭ=10 мА, не менее |
1,8 ГГц |
| типовое значение |
2,4-2,9 ГГц |
| Постоянная времени цепи обратной связи при UКБ=5 В, IЭ=10 мА, ƒ=30 МГц, не более |
8 пс |
| типовое значение |
6,2 пс |
| Минимальный коэффициент шума при UКБ=5 В, IЭ=5 мА, ƒ=400 МГц, не более |
2 дБ |
| типовое значение |
1,3-1,7 дБ |
| Оптимальный коэффициент усиления по мощности при UКБ=5 В, IЭ=5 мА, ƒ=400 МГц |
11,5-13,0 дБ |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=1 В, IЭ=5 мА |
| при Т=24,85°С, не менее |
40 |
| типовое значение |
80-170 |
| Обратный ток коллектора при UКБ=15 В, Т=24,85°С, не более |
0,5 мкА |
| Обратный ток эмиттера при Т=24,85°С, UКБ=3 В, не более |
1 мкА |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=5 В, не более |
1,7 пФ |
| типовое значение |
1,5 пФ |
| Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=1 В, не более |
3 пФ |
| типовое значение |
2,1-2,6 пФ |
| Ёмкость конструктивная между выводом эмиттера и корпусом |
0,45 пФ |
| Ёмкость конструктивная между выводом коллектора и корпусом |
0,6 пФ |
| Ёмкость конструктивная между выводом базы и корпусом |
0,4 пФ |
| Ёмкость конструктивная между выводами коллектора и базы |
0,15 пФ |
| Ёмкость конструктивная между выводами коллектора и эмиттера |
0,08 пФ |
| Индуктивность выводов эмиттера и базы при L=3 мм |
4,5 нГн |
Предельные эксплуатационные данные КТ399А.
| Постоянное напряжение коллектор-база |
15 В |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ≤10 кОм |
15 В |
| Постоянное напряжение эмиттер-база |
3 В |
| Постоянный ток коллектора |
20 мА |
| Постоянный ток эмиттера |
20 мА |
| Импульсный ток коллектора при τи≤10 мкс, Q≥2 |
40 мА |
| Импульсный ток эмиттера при τи≤10 мкс, Q≥2 |
40 мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность |
| при Т=213-328 К, p≤6650 Па |
150 мВт |
| при Т=213-328 К, p=665 Па |
105 мВт |
| при Т=124,85°С |
39 мВт |
| Температура окружающей среды |
От -60,15 до 124,85°С |
 1. Зона возможных положений приведенной зависимости коэффициента шума от тока эмиттера. 2. Приведенная зависимость коэффициента усиления по мощности от тока эмиттера. 3-4. Приведенная зависимость коэффициента шума от напряжения коллектор-база.
1. Зона возможных положений приведенной зависимости коэффициента шума от тока эмиттера. 2. Приведенная зависимость коэффициента усиления по мощности от тока эмиттера. 3-4. Приведенная зависимость коэффициента шума от напряжения коллектор-база.  1. Зона возможных положений зависимости коэффициента шума от частоты. 2. Приведенная зависимость коэффициента усиления по мощности от частоты.
1. Зона возможных положений зависимости коэффициента шума от частоты. 2. Приведенная зависимость коэффициента усиления по мощности от частоты.
|
