Транзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.

Транзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n переключательные. Предназначены для работы в ключевых и импульсных устройствах.

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в усилителях низкой частоты.

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n универсальный высокочастотный маломощный. Предназначен для работы в усиления высокой частоты.

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n универсальный высокочастотный маломощный. Предназначен для работы в усилительных и переключающих схемах герметизированной аппаратуры. Бескорпусный, с гибкими выводами и защитным покрытием, на кристаллодержателе. Транзистор помещается в тару-спутник. У базового вывода ставится точка.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для применения в переключательных, усилительных и генераторных схемах радиоэлектронной аппаратуры.

Транзистор кремниевый диффузионный n-p-n усилительный высокочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах радиовещательных и телевизионных приёмников.

Транзисторы германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным (МП35, МП37, МП38, МП38А) и нормированным на частоте 1 кГц (МП36А) коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах.

Транзисторы кремниевые меза-планарный n-p-n универсальные низкочастотные мощные. Предназначен для работы в генераторах кадровой и строчной развёрток, усилителях низкой частоты, источниках питания.