Поиск

Электроузел - ресурс, связанный с электричеством.

Здесь можно узнать, как подключить то или иное оборудование, отремонтировать его, использовать в нестандартных режимах. Узнать принцип работы различных устройств. Прочитать оригинальные или модифицированные электросхемы и подробное описание к ним.
Стартовая Избранное
Контакты
Где мы?

Облако тегов

ABB n-p-n p-n-p p-n-p-n КИПиА амперметр балласт варикап выключатель автоматический градуировка диод диодная сборка дрл конденсатор лампа латр логометр магнитный пускатель манометр мегаомметр микрофарад милливольтметр мощность нагревательный элемент оптотиристор пакетник параллельное соединение прибор резистор светодиод сигнализатор симистор стабилитрон стабистор схема термопара тиристор транзистор электронная лампа ёмкость
Показать все теги
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Транзистор КТ339А

Транзистор КТ339А кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n универсальный высокочастотный маломощный. Предназначен для работы в усиления высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 0,4 гр.

Чертёж транзистора КТ339АЧертёж транзистора КТ339А

Электрические параметры.

Коэффициент усиления по мощности при UКЭ=1,6 В, IК=7,2 мА, ƒ=35 МГц, не менее 24 дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=10 В, IЭ=7 мА, не менее 25
Модуль коэффициента передачи тока на ƒ=100 МГц при UКБ=10 В, IЭ=5 мА, не менее 3
Постоянная времени цепи обратной связи при UКБ=10 В, IЭ=7 мА, ƒ=5 МГц, не более 25 нс
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=5 В, не более 2 пФ

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база 40 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер 25 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 4 В
Постоянный ток коллектора 25 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т=213÷323 К 260 мВт
Температура перехода 448 К
Температура окружающей среды От 213 до 433 К

Примечание. При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт должен присоединяться первым и отсоединяться последним. Расстояние от места изгиба до корпуса транзистора не менее 3 мм, радиус закругления не менее 1,5-2 мм. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора.


Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры.Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры.

Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры.




Вернуться назад Нашли ошибку? Выделив текст, жмем ctr+Enter. Распечатать
 
Карта сайта