Транзистор КТ339А кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n универсальный высокочастотный маломощный. Предназначен для работы в усиления высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,4 гр.
Чертёж транзистора КТ339А
Электрические параметры.
Коэффициент усиления по мощности при UКЭ=1,6 В, IК=7,2 мА, ƒ=35 МГц, не менее |
24 дБ |
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=10 В, IЭ=7 мА, не менее |
25 |
Модуль коэффициента передачи тока на ƒ=100 МГц при UКБ=10 В, IЭ=5 мА, не менее |
3 |
Постоянная времени цепи обратной связи при UКБ=10 В, IЭ=7 мА, ƒ=5 МГц, не более |
25 нс |
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=5 В, не более |
2 пФ |
Предельные эксплуатационные данные.
Постоянное напряжение коллектор-база |
40 В |
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер |
25 В |
Постоянное напряжение эмиттер-база |
4 В |
Постоянный ток коллектора |
25 мА |
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора |
при Т=213÷323 К |
260 мВт |
Температура перехода |
448 К |
Температура окружающей среды |
От 213 до 433 К |
Примечание. При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт должен присоединяться первым и отсоединяться последним. Расстояние от места изгиба до корпуса транзистора не менее 3 мм, радиус закругления не менее 1,5-2 мм. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора.
Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры.
Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры.
Вернуться назад
|