|
|
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Транзистор типа: КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные мощные: КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г не более 1 гр.  Чертёж транзистора КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815ГЭлектрические параметры.
| Граничное напряжение при IЭ=50 мА, τи=300 мкс, Q≥100, не менее |
| КТ815А |
25 В |
| КТ815Б |
40 В |
| КТ815В |
60 В |
| КТ815Г |
80 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,05 А, не более |
0,6 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,05 А, не более |
1,2 В |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=2 В, IК=0,15 А, не менее |
| при Т=24,85°С |
| КТ815А, КТ815Б, КТ815В |
40 |
| КТ815Г |
30 |
| при Т=-40,15°С |
| КТ815А, КТ815Б, КТ815В |
30 |
| КТ815Г |
20 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IЭ=0,03 А, не менее |
3 МГц |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКЭ=5 В, ƒ=465 кГц, не более |
60 пФ |
| Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0,5 В, не более |
75 пФ |
| Входное сопротивление в режиме малого сигнала при UКЭ=5 В, IК=5 мА, ƒ=800 Гц, не менее |
800 Ом |
| Обратный ток коллектора при UКБ=40 В, не более |
| при Тк=233÷298 К |
50 мкА |
| при Тк=99,85°С |
1000 мкА |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤100 Ом, Тк=233÷373 К |
| КТ815А |
40 В |
| КТ815Б |
50 В |
| КТ815В |
70 В |
| КТ815Г |
100 В |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер |
| КТ815А |
25 В |
| КТ815Б |
40 В |
| КТ815В |
60 В |
| КТ815Г |
80 В |
| Постоянное напряжение база-эмиттер при Тк=213÷373 К |
5 В |
| Постоянный ток коллектора при Тк=233÷373 К |
1,5 А |
| Импульсный ток коллектора при τи≤10 мс, Q≥100, Тк=233÷373 К |
3 А |
| Постоянный ток базы при Тк=233÷373 К |
0,5 А |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора |
| с теплоотводом при Тк=233÷298 К |
10 Вт |
| без теплоотвода при Тк=233÷298 К |
1 Вт |
| Температура перехода КТ815Г, КТ815А, КТ815Б, КТ815В |
124,85°С |
| Температура окружающей среды |
От -40,15 до Тк=99,85°С |
Примечания. 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при Тк=298÷373 К снижается линейно на 0,01 Вт через 1 К.
2. Пайку выводов транзисторов КТ815Г, КТ815А, КТ815Б, КТ815В разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. Разрешается производить пайку путём погружения выводов не более чем на 2 с в расплавленный припой с температурой не выше 249,85°С.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.
 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.  1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса.
1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. |
