Поиск

Электроузел - ресурс, связанный с электричеством.

Здесь можно узнать, как подключить то или иное оборудование, отремонтировать его, использовать в нестандартных режимах. Узнать принцип работы различных устройств. Прочитать оригинальные или модифицированные электросхемы и подробное описание к ним.
Стартовая Избранное
Контакты
Где мы?

Облако тегов

ABB n-p-n p-n-p p-n-p-n КИПиА амперметр балласт варикап выключатель автоматический градуировка диод диодная сборка дрл конденсатор лампа латр логометр магнитный пускатель манометр мегаомметр микрофарад милливольтметр мощность нагревательный элемент оптотиристор пакетник параллельное соединение прибор резистор светодиод сигнализатор симистор стабилитрон стабистор схема термопара тиристор транзистор электронная лампа ёмкость
Показать все теги
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Транзистор типа: КТ809А, 2Т809А

Транзистор типа: КТ809А, 2Т809А

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n переключательные низкочастотные мощные: КТ809А, 2Т809А. Предназначены для работы в ключевых и импульсных схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.

Масса транзистора 2Т809 и КТ809 не более 22 гр., с накидным фланцем не более 12 гр.

Чертёж транзистора КТ809А, 2Т809АЧертёж транзистора КТ809А, 2Т809А

Электрические параметры.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=2 А, IБ=0,4 А 0,22-0,6-1,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=2 А, IБ=0,4 А 1,03-1,32,3 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IК=2 А
при Т=24,85°С 15-100
при Т=124,85°С 15-130
при Т=-60,15°С 10-100
Время включения при IК=2 А, IБ=0,5 А, τи=10 мкс 0,2-0,3 мкс
типовое значение 0,25 мкс
Время спада при IК=2 А, IБ=0,5 А, τи=10 мкс 0,2-0,3 мкс
типовое значение для КТ809А, 2Т809А 0,25 мкс
Время рассасывания при IК=2 А, IБ=0,5 А, τи=10 мкс 0,5-3 мкс
типовое значение 2 мкс
Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=3,0 МГц, UКЭ=5 В, IК=0,5 А, не менее 1,7
Обратный ток коллектор-эмиттер при UКЭ=400 В, RБЭ=10 Ом, не более
при Т=24,85°С и Т=-60,15°С 3 мА
при Т=124,85°С, UКЭ=300 В 10 мА
Обратный ток эмиттера при UБЭ=4 В, не более 50 мА
Ёмкость коллекторного перехода транзистора 2Т809А, КТ809А при UКЭ=5 В 190-220-270 пФ

Предельные эксплуатационные данные КТ809А, 2Т809А.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Тп≤99,85°С, RБЭ=10 Ом 400 В
Постоянное напряжение база-эмиттер при Тк=213÷398 К 4 В
Постоянный ток коллектора при Тк=213÷398 К 3 А
Импульсный ток коллектора при τи≤400 мкс, Q≥10, Тк=213÷398 К 5 А
Ток базы транзистора КТ809А, 2Т809А при Тк=213÷398 К 1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк=213÷398 К 40 Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус 2,5 К/Вт
Температура перехода 149,85°С
Температура окружающей среды От -60,15°С до Тк=124,85°С

Примечания. 1. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Тп=373÷423 К снижается линейно на 10% через каждые 10 К.

2. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при Тк>49,85°С снижается в соответствии с формулой:

РК макс=(Тп=-Тк)/Rт п-к,

где Rт п-к - тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое из области максимальных режимов.

В импульсных схемах для КТ809А, 2Т809А допускаются перегрузки по мощности рассеивания до 300 Вт в момент переключения, при этом длительность перегрузки должна быть не более 0,5 мкс, частота перегрузки не более 5 кГц, температура корпуса не более 89,85°С.

В импульсных схемах допускается UБЭ≤8 В, при этом должно быть: IБ≤1 А, Q≥2, ƒ≥30 кГц.

Допускается использование транзистора при IК и≤7 А, Q≤2. Мгновенная мощность при переключении не должна превышать 100 Вт в течение не более 5 мкс и Q≥10.

Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемым и обратными токами во всем диапазоне температур окружающей среды.

3. Механические усилия на выводы транзисторов КТ809А, 2Т809А не должны превышать 19,62 Н в осевом и 3,43 Н в перпендикулярном направлениях к оси вывода. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм от корпуса транзистора.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы.1. Входные характеристики. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы.

1. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость обратного тока коллеткор-эмиттер от температуры корпуса. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора. 5. Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры корпуса. 6. Зависимость времени рассасывания от тока коллектора.1. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость обратного тока коллеткор-эмиттер от температуры корпуса. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора. 5. Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры корпуса. 6. Зависимость времени рассасывания от тока коллектора.

1. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость обратного тока коллеткор-эмиттер от температуры корпуса. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора. 5. Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры корпуса. 6. Зависимость времени рассасывания от тока коллектора.

Область максимальных режимов.Область максимальных режимов.

Область максимальных режимов.




Вернуться назад Нашли ошибку? Выделив текст, жмем ctr+Enter. Распечатать
 
Карта сайта