|
|
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Транзистор типа: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г
Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n составные универсальные низкочастотные мощные: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.
Масса транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г не более 2 гр.  Чертёж транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829ГЭлектрические параметры транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г.
| Граничное напряжение при IК=100 мА, не менее |
| КТ829А |
100 В |
| КТ829Б |
80 В |
| КТ829В |
60 В |
| КТ829Г |
45 В |
| КТ827В, 2Т827В |
60-80 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=3,5 А, IБ=14 мА, не более |
2 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=3,5 А, IБ=14 мА, не более |
2,5 В |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=3 В, IК=3 А, не менее |
| при ТК=24,85°С и ТК=84,85°С |
750 |
| при ТК=-40,15°С |
100 |
| при Т=ТК макс, не менее |
750 |
| при Т=-60,15°С, не менее |
100 |
| Модуль коэффициента передачи тока при UКЭ=3 В, IК=3 А, ƒ=10 МГц, не менее |
0,4 |
| Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=1 кОм, UКЭ=UКЭ макс, не более |
| при Т=24,85°С и Т=-40,15°С |
1,5 мА |
| при ТК=84,85°С |
3 мА |
| Обратный ток эмиттера при UБЭ=5 В, не более |
2 мА |
Предельные эксплуатационные данные КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г.
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤1 кОм, постоянное напряжение коллектор база |
| КТ829А |
100 В |
| КТ829Б |
80 В |
| КТ829В |
60 В |
| КТ829Г |
45 В |
| Постоянное напряжение база-эмиттер |
5 В |
| Постоянный ток коллектора |
8 А |
| Постоянный ток базы |
0,5 А |
| Импульсный ток коллектора при τи≤500 мкс, Q≥10 |
12 А |
| Постоянный ток базы |
0,2 А |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк≤24,85°С |
60 Вт |
| Тепловое сопротивление переход-корпус |
2,08 К/Вт |
| Температура перехода |
149,85°С |
| Температура окружающей среды |
От -40,15 до Тк=84,85°С |
Примечания. 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при Тк>298÷358 К рассчитывается по формуле:
РК макс=(423-Тк)/2,08.
2. Пайка выводов транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора, при этом температура корпуса не должна превышать 84,85°С.
Для улучшения теплового контакта рекомендуется смачивать нижнее основание транзистора полиметилсилоксановой жидкостью ПМС-100 ГОСТ 13032-77.
Температура корпуса транзистора измеряется на поверхности основания корпуса со стороны держателя.
 1. Входные характеристики. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от IК/IБ. 4. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 5. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 6. Область максимальных режимов.
1. Входные характеристики. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от IК/IБ. 4. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 5. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 6. Область максимальных режимов. |
