|
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Транзистор ГТ701А германиевый сплавной p-n-p универсальный низкочастотный мощный. Предназначен для работы в схемах усилителей мощности низкой частоты, в импульсных и ключевых схемах. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 25 гр., крепёжного фланца не более 7,5 гр.
Чертёж транзистора ГТ701А
Электрические параметры транзистора ГТ701А.
Граничное напряжение при IЭ=2,5 А, не менее |
при Т=24,85°С |
100 В |
при Т=69,85°С |
90 В |
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=2 В, IК=5 А, не менее |
10 |
Предельная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=20 В, IК=0,1 А, не менее |
50 кГц |
Обратный ток коллектора при UКБ=60 В, не более |
при Т=24,85°С |
6 мА |
при Т=69,85°С и Т=-55,15°С |
30 мА |
Обратный ток коллектор-эмиттер при UКЭ=100 В, UБЭ=1,5 В, не более |
50 мА |
Предельные эксплуатационные данные.
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер |
55 В |
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при UБЭ=0,5 В, τи=1 мс, Q≥10 |
100 В |
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при UБЭ=0,56 В, τи=0,3 мс, Q≥10 |
140 В |
Постоянное напряжение база-эмиттер |
15 В |
Постоянный ток коллектора |
12 А |
Постоянный ток базы в режиме включения |
0,15 А |
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора |
при Т=24,85°С |
50 Вт |
при Т=54,85°С |
25 Вт |
при Т=69,85°С |
8,3 Вт |
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при τи=1 мс, Q≥10 |
при Т=24,85°С |
1200 Вт |
при Т=74,85°С |
700 Вт |
Тепловое сопротивление переход-корпус |
1,2 К/Вт |
Температура перехода |
84,85°С |
Температура окружающей среды |
От -55,15 до 69,85°С |
1. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 2. Зависимость максимально допустимой импульсной мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса.
1. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 2. Зависимость максимально допустимой импульсной мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса.
1. Входные характеристики. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.
1. Входные характеристики. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.
|