Транзисторы > Транзистор типа: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г

Транзистор типа: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г
Транзистор типа: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n составные универсальные низкочастотные мощные: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.

Масса транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г не более 2 гр.

Чертёж транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829ГЧертёж транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г

Электрические параметры транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г.

Граничное напряжение при IК=100 мА, не менее
КТ829А 100 В
КТ829Б 80 В
КТ829В 60 В
КТ829Г 45 В
КТ827В, 2Т827В 60-80 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=3,5 А, IБ=14 мА, не более 2 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=3,5 А, IБ=14 мА, не более 2,5 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=3 В, IК=3 А, не менее
при ТК=24,85°С и ТК=84,85°С 750
при ТК=-40,15°С 100
при Т=ТК макс, не менее 750
при Т=-60,15°С, не менее 100
Модуль коэффициента передачи тока при UКЭ=3 В, IК=3 А, ƒ=10 МГц, не менее 0,4
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=1 кОм, UКЭ=UКЭ макс, не более
при Т=24,85°С и Т=-40,15°С 1,5 мА
при ТК=84,85°С 3 мА
Обратный ток эмиттера при UБЭ=5 В, не более 2 мА

Предельные эксплуатационные данные КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤1 кОм, постоянное напряжение коллектор база
КТ829А 100 В
КТ829Б 80 В
КТ829В 60 В
КТ829Г 45 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора 8 А
Постоянный ток базы 0,5 А
Импульсный ток коллектора при τи≤500 мкс, Q≥10 12 А
Постоянный ток базы 0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк≤24,85°С 60 Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус 2,08 К/Вт
Температура перехода 149,85°С
Температура окружающей среды От -40,15 до Тк=84,85°С

Примечания. 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при Тк>298÷358 К рассчитывается по формуле:

РК макс=(423-Тк)/2,08.

2. Пайка выводов транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора, при этом температура корпуса не должна превышать 84,85°С.

Для улучшения теплового контакта рекомендуется смачивать нижнее основание транзистора полиметилсилоксановой жидкостью ПМС-100 ГОСТ 13032-77.

Температура корпуса транзистора измеряется на поверхности основания корпуса со стороны держателя.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от IК/IБ. 4. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 5. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 6. Область максимальных режимов.1. Входные характеристики. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от IК/IБ. 4. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 5. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 6. Область максимальных режимов.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от IК/IБ. 4. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 5. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 6. Область максимальных режимов.

Вернуться назад