Транзистор КТ314А-2 кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n универсальный высокочастотный маломощный. Предназначен для работы в усилительных и переключающих схемах герметизированной аппаратуры. Бескорпусный, с гибкими выводами и защитным покрытием, на кристаллодержателе. Транзистор помещается в тару-спутник. У базового вывода ставится точка.
Масса транзистора не более 0,1 гр.
Чертёж КТ314А-2Электрические параметры.
| Граничное напряжение при IЭ=5 мА, не менее |
45 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=30 мА, IБ=6 мА, не более |
0,3 В |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IЭ=0,25 мА |
| при Т=298 К |
30-120 |
| при Т=398 К |
30-300 |
| при Т=213 К |
15-120 |
| Модуль коэффициента передачи тока при UКЭ=10 В, IК=10 мА, ƒ=100 МГц, не менее |
3 |
| Постоянная времени цепи обратной связи при UКБ=5 В, IК=10 мА, ƒ=30 МГц, не более |
80 нс |
| Ёмкость эмиттерного перехода при UБЭ=0 |
8-20 пФ |
| типовое значение |
15 пФ |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=5 В, не более |
10 пФ |
| Время включения при IК=10 мА, IБ=1 мА |
35-45 нс |
| типовое значение |
40 нс |
| Время рассасывания при IК=30 мА, IБ=3 мА, не более |
300 нс |
| Время выключения при IК=10 мА, IБ=1 мА |
80-120 нс |
| типовое значение |
100 нс |
| Обратный ток коллектора при UКБ=55 В, не более |
| при Т=298 К и Т=213 К |
0,075 мкА |
| при Т=398 К |
1,5 мкА |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ=10 кОм |
50 В |
| Постоянное напряжение коллектор-база |
55 В |
| Постоянное напряжение база-эмиттер |
4 В |
| Импульсные напряжения коллектор-база и коллектор-эмиттер при RБЭ=1 кОм, τи≤100 мкс, Q≥2 |
65 В |
| Постоянный ток коллектора |
60 мА |
| Импульсный ток коллектора при τи≤100 мкс, Q≥2 |
70 мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора |
| при Т=213÷298 К |
0,5 Вт |
| при Т=398 К |
0,1 Вт |
| Температура перехода |
423 К |
| Температура окружающей среды |
От 213 до 398 К |
| Тепловое сопротивление переход-корпус |
0,25 К/мВт |
Примечание. Минимальное расстояние от места пайки выводов до поверхности транзистора 3 мм. Изгиб выводов допускается на расстоянии не мене 0,5 мм от места выхода вывода из защитного покрытия.
1. Зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 2. Входные характеристики. 3. Зависимость обратного тока коллектора от температуры. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.
1. Зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 2. Входные характеристики. 3. Зависимость обратного тока коллектора от температуры. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.
1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от температуры. 4. Зависимость времени рассасывания от температуры. 5. Зависимость времени рассасывания от тока коллектора.
1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от температуры. 4. Зависимость времени рассасывания от температуры. 5. Зависимость времени рассасывания от тока коллектора.
