Транзисторы кремниевые меза-планарный n-p-n универсальные низкочастотные мощные: КТ807А, КТ807Б, КТ807АМ, КТ807БМ. Предназначен для работы в генераторах кадровой и строчной развёрток, усилителях низкой частоты, источниках питания. Выпускается в металлопластмассовом (КТ807А, КТ807Б) и в пластмассовом (КТ807АМ, КТ807БМ) корпусах с гибкими выводами.
Масса транзистора КТ807А, КТ807Б не более 2,5 гр., КТ807АМ, КТ807БМ не более 1 гр.
Чертёж транзистора КТ807А, КТ807Б, КТ807АМ, КТ807БМЭлектрические параметры.
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, не менее |
5 МГц |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IК=0,5 А |
| при Т=24,85°С |
| КТ807А, КТ807АМ |
15-45 |
| КТ807Б, КТ807БМ |
30-100 |
| при Т=84,85°С |
| КТ807А, КТ807АМ |
20-60 |
| КТ807Б, КТ807БМ |
45-150 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,1 А, не более |
1 В |
| Обратный ток коллектор-эмиттер при UКЭ=100 В, RБЭ=10 Ом |
| при Т=24,85°С |
5 мА |
| при Т=84,85°С |
15 мА |
| Обратный ток эмиттера при UЭБ=4 В, не более |
15 мА |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤10 Ом или RБЭ=1 кОм и UБЭ=0,5 В |
100 В |
| Импульсное напряжение коллектор-эмиттер |
120 В |
| Постоянное напряжение эмиттер-база |
4 В |
| Постоянный ток коллектора |
0,5 А |
| Импульсный ток коллектора при τи≤1 мс, Q≥2 |
1,5 А |
| Постоянный ток базы |
0,2 А |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора |
| при Т=233-343 К |
10 Вт |
| при Т=84,85°С |
8 Вт |
| Тепловое сопротивление переход-корпус |
8 К/Вт |
| Температура перехода |
149,85°С |
| Температура окружающей среды |
От -40,15 до 84,85°С |
Примечание. При температуре окружающей среды от 69,85 до 84,85°С рассеиваемая мощность коллектора, Вт, рассчитывается по формуле:
PК макс=(423-Т)/RТ п к.
1. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от температуры. 2. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры.
1. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от температуры. 2. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры.
