Транзисторы типа: КТ807А, КТ807Б, КТ807АМ, КТ807БМ
Транзисторы кремниевые меза-планарный n-p-n универсальные низкочастотные мощные: КТ807А, КТ807Б, КТ807АМ, КТ807БМ. Предназначен для работы в генераторах кадровой и строчной развёрток, усилителях низкой частоты, источниках питания. Выпускается в металлопластмассовом (КТ807А, КТ807Б) и в пластмассовом (КТ807АМ, КТ807БМ) корпусах с гибкими выводами.
Масса транзистора КТ807А, КТ807Б не более 2,5 гр., КТ807АМ, КТ807БМ не более 1 гр.
Электрические параметры.
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, не менее | 5 МГц |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IК=0,5 А | |
| при Т=24,85°С | |
| КТ807А, КТ807АМ | 15-45 |
| КТ807Б, КТ807БМ | 30-100 |
| при Т=84,85°С | |
| КТ807А, КТ807АМ | 20-60 |
| КТ807Б, КТ807БМ | 45-150 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,1 А, не более | 1 В |
| Обратный ток коллектор-эмиттер при UКЭ=100 В, RБЭ=10 Ом | |
| при Т=24,85°С | 5 мА |
| при Т=84,85°С | 15 мА |
| Обратный ток эмиттера при UЭБ=4 В, не более | 15 мА |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤10 Ом или RБЭ=1 кОм и UБЭ=0,5 В | 100 В |
| Импульсное напряжение коллектор-эмиттер | 120 В |
| Постоянное напряжение эмиттер-база | 4 В |
| Постоянный ток коллектора | 0,5 А |
| Импульсный ток коллектора при τи≤1 мс, Q≥2 | 1,5 А |
| Постоянный ток базы | 0,2 А |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | |
| при Т=233-343 К | 10 Вт |
| при Т=84,85°С | 8 Вт |
| Тепловое сопротивление переход-корпус | 8 К/Вт |
| Температура перехода | 149,85°С |
| Температура окружающей среды | От -40,15 до 84,85°С |
Примечание. При температуре окружающей среды от 69,85 до 84,85°С рассеиваемая мощность коллектора, Вт, рассчитывается по формуле:
PК макс=(423-Т)/RТ п к.
1. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от температуры. 2. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры.
Вернуться назад