|
|
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Транзистор КТ840А, КТ840Б КТ840А, КТ840БТранзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n переключательные. Предназначены для работы в ключевых и импульсных устройствах. Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Масса транзистора не более 20 грамм.
 Чертёж КТ840А, КТ840БЭлектрические параметры.
| Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UКБ=5 В |
| IК=0,6 А |
10...30...100 |
| IК=0,1 А, не менее |
10 |
| Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при UКЭ=10 В, IК=0,2 А, ƒ=1 МГц |
8...12...15 |
| Граничное напряжение при IК=0,1 А, не менее |
| КТ840А |
400 В |
| КТ840Б |
350 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=4 А, IБ=1,25 А |
0,4...1...3 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=4 А, IБ=1,25 А |
1,2...1,4...1,6 В |
| Время включения при UКЭ=200 В, IК=2,5 А, IБ=0,5 А |
0,08...0,1...0,2 мкс |
| Время спада при UКЭ=200 В, IК=2,5 А, IБ=0,5 А |
0,15...0,3...0,6 мкс |
| Время рассасывания при UКЭ=200 В, IК=2,5 А, IБ=0,5 А |
0,4...0,8...3,5 мкс |
| Обратный ток коллектора при UКБ=UКБ, макс |
| Тк=+25°С |
0,1...0,5...3 мА |
| Тк=-45°С |
0,5...1,5...5 мА |
| Тк=+100°С |
0,5...1,5...5 мА |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ=100 Ом |
| КТ840А |
400 В |
| КТ840Б |
350 В |
| Импульсное напряжение коллектор-эмиттер* при UБЭ=1,5 В, τи≤80 мкс, τφ≥1 мкс, Q≥2 |
| Тк=-20...+100°С КТ840А |
900 В |
| Тк=-20...+90°С КТ840Б |
750 В |
| Импульсное напряжение коллектор-база* при τи≤80 мкс, τφ≥1 мкс, Q≥2 |
| Тк=-20...+100°С КТ840А |
900 В |
| Тк=-20...+90°С КТ840Б |
750 В |
| Постоянный ток коллектора |
6 А |
| Импульсный ток коллектора при τи≤20 мкс, Q≥3 |
8 А |
| Постоянный ток базы |
2 А |
| Импульсный ток базы при τи≤20 мкс, Q≥3 |
3 А |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при UКЭ≤30 В, Тк=-45...+50°С |
60 Вт |
| Температура p-n перехода |
+150°С |
| Температура окружающей среды |
-45°С...Тк=+100°С |
* Для транзисторов КТ840А при Тк=-20÷+45°С UКЭХ и макс, UКБ и макс снижаются линейно до 750 В; для транзисторов КТ840Б при Тк=90÷100°С напряжения снижаются линейно до 700 В и при Тк=-20÷+45°С до 600 В.
* При Тк>50°С РК макс [Вт] = (150-Тк) / Rт п, к, где Rт п, к - тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое из области максимальных режимов; например при UКЭ=30 В, IК=2 А, Rт п, к=1,67°С/Вт.
 1. Области максимальных режимов. 2. Зависимость максимально допустимого импульсного напряжения от скважности.
1. Области максимальных режимов. 2. Зависимость максимально допустимого импульсного напряжения от скважности. |
