|
|
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Транзистор КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639ИТранзисторы КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, предназначены для применения в каскадах предварительного усиления и в переключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,7 грамм.
 Чертёж КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639ИЭлектрические параметры.
| Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при UКБ=2 В, IЭ=150 мА |
| при Т=+25°С |
| КТ639А, КТ639Г, КТ639Е |
40...100 |
| КТ639Б, КТ639Д, КТ639Ж |
63...160 |
| КТ639В |
100...250 |
| КТ639И |
180..400 |
| при Т=+125°С |
0,8h21Э, мин...3h21Э, макс |
| при Т=-65°С, не менее |
0,3h21Э, мин |
| Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при UКБ=5 В, IЭ=30 мА, ƒ=20 МГц |
4...10...12 |
| Граничное напряжение при IЭ=50 мА, не менее |
| КТ639А, КТ639Б, КТ639В |
45 В |
| КТ639Г, КТ639Д |
60 В |
| КТ639Ж |
80 В |
| КТ639И |
30 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=500 мА, IБ=50 мА |
0,15...0,35...0,5 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=500 мА, IБ=50 мА |
0,92...0,96...1,25 В |
| Время рассасывания при IК=500 мА, IБ=50 мА, типовое значение |
200 нс |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В |
15...20...50 пФ |
| Ёмкость коллекторного перехода при UЭБ=0,5 В |
90...120...200 пФ |
| Обратный ток коллектора при UКБ=30 В, не более |
| Т=+25°С |
100 нА |
| Т=+125°С |
100 мкА |
| Обратный ток эмиттера при UЭБ=5 В, не более |
100 нА |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-база |
| КТ639А, КТ639Б, КТ639В |
45 В |
| КТ639Г, КТ639Д |
60 В |
| КТ639И |
30 В |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ=1 кОм для КТ639Ж |
100 В |
| Постоянное напряжение база-эмиттер |
5 В |
| Постоянный ток коллектора |
1,5 А |
| Импульсный ток коллектора |
2 А |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора* при Т=-60...+35°С |
1 Вт |
| Температура p-n перехода |
+150°С |
| Тепловое сопротивление переход-среда |
115°С/Вт |
| Температура окружающей среды |
-60...+125°С |
* При Т>+35°С постоянная рассеиваемая мощность коллектора определяется из выражения:
PК, макс, Вт=(150-Т)÷115.
 1. Зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость граничной частоты от тока коллектора. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.
1. Зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость граничной частоты от тока коллектора. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. |
