Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n переключательные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в ключевых и импульсных схемах.

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n мощные универсальные. Предназначены для работы в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развёртки, источниках питания.

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах.

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, импульсных усилителях мощности, стабилизаторах тока и напряжения, повторителях, переключателях, в электронных системах управления, в схемах автоматики и защиты.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p маломощные. Предназначены для работы в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры.

Транзистор германиевый сплавной p-n-p универсальный низкочастотный мощный. Предназначен для работы в схемах усилителей мощности низкой частоты, в импульсных и ключевых схемах.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные.

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.

Диоды кремниевые диффузионные с p-i-n структурой. Предназначены для работы в переключающих устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.