|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n универсальный высокочастотный маломощный. Предназначен для работы в усиления высокой частоты. Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n универсальный высокочастотный маломощный. Предназначен для работы в усилительных и переключающих схемах герметизированной аппаратуры. Бескорпусный, с гибкими выводами и защитным покрытием, на кристаллодержателе. Транзистор помещается в тару-спутник. У базового вывода ставится точка. Тиристоры Т130-40, Т130-50 кремниевые диффузионные p-n-p-n. Предназначены для применения в составе ключевых модулей и монолитных больших интегральных схемах преобразователей электроэнергии. Тиристоры оптронные ТО132-25, ТО132-40 (оптотиристоры) кремниевые диффузионные p-n-p-n. Два полупроводниковых элемента: кремниевые фототиристор и арсенид-галлиевый излучающий диод - объединены в одну конструкцию. Предназначены для применения в помехоустойчивых схемах автоматики и цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. |