|
|
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Транзистор КТ502Е, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,3 гр.  Транзистор КТ502Е, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502АЭлектрические параметры.
| Граничное напряжение при IЭ=10 мА, τи≤30 мкс, Q≥100 не менее |
| КТ502А, КТ502Б |
25 В |
| КТ502В, КТ502Г |
40 В |
| КТ502Д |
60 В |
| КТ502Е |
80 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=10 мА, IБ=1 мА, не более |
0,6 В |
| типовое значение |
0,15 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=10 мА, IБ=1 мА, не более |
1,2 В |
| типовое значение |
0,8 В |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IЭ=10 мА |
| КТ502А, КТ502В, КТ502Д, КТ502Е |
40-120 |
| КТ502Б, КТ502Г |
80-240 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IЭ=3 мА, ƒ=1 МГц, не менее |
5 МГц |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=5 В, ƒ=465 кГц, не более |
20 пФ |
| Обратный ток коллектора при UКБ=UКБ макс, не более |
1 мкА |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-база при Т=233-358 К |
| КТ502А, КТ502Б |
40 В |
| КТ502В, КТ502Г |
60 В |
| КТ502Д |
80 В |
| КТ502Е |
90 В |
| Постоянное напряжение база-эмиттер при Т=233-358 К |
5 В |
| Постоянный ток коллектора при Т=233-358 К |
0,15 А |
| Импульсный ток коллектора при τи≤10 мс, Q≥100, Т=233-358 К |
0,35 А |
| Постоянный ток базы при Т=233-358 К |
0,1 А |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=233-298 К |
0,35 Вт |
| Температура перехода |
124,85°С |
| Температура окружающей среды |
От 233 до 358 К |
Примечание. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено. Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.
 1. Зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.1. Зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.
|
