|
|
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Транзисторы типа: КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах. Транзисторы КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами, транзисторы 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В - в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.
Масса транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г не более 2,5 гр., транзисторов 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В не более 15 гр.
 Чертёж транзистора КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818ВЭлектрические параметры.
| Граничное напряжение при IК=0,1 А, τи≤300 мкс, Q≥100 |
| КТ818А, не более |
25 В |
| КТ818Б, 2Т818В |
40-60-80 В |
| КТ818В, 2Т818Б |
60-80-100 В |
| КТ818Г, 2Т818А |
80-100-150 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=5 А, IБ=0,5 А, не более |
| 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В |
1 В |
| КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г |
2 В |
| при IК=20 А, IБ=5 А 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В |
0,7-1,5-4 В |
| при IК=20 А, IБ=5 А КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г |
0,7-1,5-5 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=5 А, IБ=0,5 А, не более |
| 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В |
1,5 В |
| КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г |
3 В |
| при IК=20 А, IБ=5 А 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В |
1,6-2,3-5 В |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=5 В, IК=5 А, не менее |
| 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В |
| при Т=24,85 и 124,85°С |
20 |
| при Т=-60,15°С |
9 |
| при Т=24,85 и 124,85°С |
| КТ818А, КТ818В |
15 |
| КТ818Б |
20 |
| КТ818Г |
12 |
| при Т=-50,15°С |
| КТ818А, КТ818В |
10 |
| КТ818Б |
15 |
| КТ818Г |
7 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока при UКБ=5 В, IЭ=0,5 А, не менее |
3 МГц |
| Время выключения при IК=5 А, IБ=0,5 А, не более |
2,5 мкс |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=5 В |
400-600-1000 пФ |
| Пробивное напряжение коллектор-база при Т=213-298 К, IК=1 мА и при Т=124,85°С, IК=5 мА, не менее |
| 2Т818А |
100 В |
| 2Т818Б |
80 В |
| 2Т818В |
60 В |
| Обратный ток коллектора при UКБ=40 В, не более КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г |
| при Т=233-298 К |
1 мА |
| при Т=99,85°С |
10 мА |
| Пробивное напряжение эмиттер-база при IЭ=5 мА, не менее |
5-8-30 В |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-база |
| 2Т818А |
100 В |
| 2Т818Б |
80 В |
| 2Т818В |
60 В |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ=100 Ом |
| при Т=213-353 К |
| 2Т818А |
100 В |
| 2Т818Б |
80 В |
| 2Т818В |
60 В |
| при Т=233-298 К |
|
| КТ818А |
40 В |
| КТ818Б |
50 В |
| КТ818В |
70 В |
| КТ818Г |
90 В |
| Постоянное напряжение база-эмиттер |
5 В |
| Постоянный ток коллектора |
| КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г |
10 А |
| 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В |
15 А |
| Импульсный ток коллектора при τи≤10 мс, Q≥100 |
| КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г |
15 А |
| 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В |
20 А |
| Постоянный ток базы |
3 А |
| Импульсный ток базы |
5 А |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при Тк≤24,85°С |
| КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г |
60 Вт |
| 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В |
100 Вт |
| без теплоотвода при Т≤24,85°С |
| КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г |
1,5 Вт |
| 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В |
3 Вт |
| Температура перехода |
| КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г |
124,85°С |
| 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В |
149,85°С |
| Температура окружающей среды |
| КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г |
От -40,15 до Тк=99,85°С |
| 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В |
От -60,15 до Тк=124,85°С |
Примечания: 1. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при повышении температуры окружающей среды (корпуса) свыше 24,85°С для 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В рассчитывается по формулам:
PК макс=(423-ТK)/1,25 (с теплоотводом),
PК макс=(423-Т)/41,6 (без теплоотвода),
для КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г уменьшается на 0,6 Вт/К с теплоотводом и на 0,015 Вт/К без теплоотвода.
2. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено. При монтаже в схему транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г допускается одноразовый изгиб выводов на расстоянии не менее 2,5 мм от корпуса под углом 90°, радиусом не менее 0,8 мм. При этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.
 1-2. Зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса. 3. Входная характеристика. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.
1-2. Зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса. 3. Входная характеристика. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.  1. Зависимость относительного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость времени выключения от тока коллектора. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса. 5. Зависимость граничного напряжения от температуры корпуса.
1. Зависимость относительного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость времени выключения от тока коллектора. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса. 5. Зависимость граничного напряжения от температуры корпуса. |
