Электроузел - ресурс, связанный с электричеством.

Здесь можно узнать, как подключить то или иное оборудование, отремонтировать его, использовать в нестандартных режимах. Узнать принцип работы различных устройств. Прочитать оригинальные или модифицированные электросхемы и подробное описание к ним.
Стартовая Избранное
Где мы?
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Транзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.


Транзистор КТ842А, КТ842Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.


ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322ВГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях промежуточной и высокой частот.


Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты.


КТ840А, КТ840БКТ840А, КТ840Б

Транзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n переключательные. Предназначены для работы в ключевых и импульсных устройствах.


КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639ИКТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, предназначены для применения в каскадах предварительного усиления и в переключающих устройствах.


Транзистор КТ680АТранзистор КТ680А

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в усилителях низкой частоты.


Транзистор КТ502Е, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.


Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n универсальный высокочастотный маломощный. Предназначен для работы в усиления высокой частоты.


Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n универсальный высокочастотный маломощный. Предназначен для работы в усилительных и переключающих схемах герметизированной аппаратуры. Бескорпусный, с гибкими выводами и защитным покрытием, на кристаллодержателе. Транзистор помещается в тару-спутник. У базового вывода ставится точка.


 
Карта сайта