Тиристоры Т122-20, Т122-25, Т222-20, Т222-25 кремниевые диффузионные p-n-p-n. Предназначены для применения в схемах автоматики и в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии.

Тиристоры кремниевые диффузионные p-n-p-n. Предназначены для применения в качестве ключевых элементов в схемах телевизионных приёмников цветного изображения и генераторах мощных импульсов при частоте повторения импульсов тока до 30 кГц.

Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные p-n-p-n. Предназначены для применения в качестве ключевых элементов в схемах автоматики и в управляемых выпрямителях.

Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные p-n-p-n. Предназначены для применения в качестве ключевых элементов в схемах автоматики и в управляемых выпрямителях.

Диоды кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.

Диоды кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Шотки. Предназначены для применения в низковольтных вторичных источниках электропитания на частотах 10...200 кГц.

Диоды кремниевые сплавные. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Диоды кремниевые, диффузионные. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для применения в переключательных, усилительных и генераторных схемах радиоэлектронной аппаратуры.

Транзистор кремниевый диффузионный n-p-n усилительный высокочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах радиовещательных и телевизионных приёмников.