|
|
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Модуль силовой полупроводниковый МТОТО160 на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе. Масса не более 500 грамм.
 Чертёж оптотиристора МТОТО160Электрические параметры.
| Импульсное напряжение в открытом состоянии при Iо с, и=502 А, τи=10 мс, не более |
1,75 В |
| Отпирающее постоянное напряжение управления при Uа с=12 В, Iу, от=80 мА, не более |
2,5 В |
| Неотпирающее постоянное напряжение управления при Uзс, и=Uзс, и, Тп=100°С, не менее |
0,9 В |
| Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при Uзс, и=Uзс, и, Rу=∞, Тп=100°С, не более |
6,0 мА |
| Повторяющийся импульсный обратный ток при Uобр. и=Uобр. и, Rу=∞, Тп=100°С, не более |
6,0 мА |
| Отпирающий постоянный ток управления при Uзс=12 В, не более |
80 мА |
| Время включения при Uзс=100 В, Iо с, и=Iо с, ср max, не более |
10 мкс |
| Время выключения при Uзс, и=0,67Uзс, п, duз с/dt=100 В/мкс, Uобр. п=100 В, Iо с, и=Iо с, ср max, (djо с/dt)сп=5 А/мкс, Тп=100°С, не более |
100 мкс |
| Сопротивление изоляции оптопар модуля не менее |
1000 МОм |
| Сопротивление изоляции основания модуля (при нормальных условиях), не менее |
40 МОм |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, не более |
0,15°С/Вт |
Предельные эксплуатационные данные МТОТО160.
| Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии |
400-1600 В |
| Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии |
1,12 Uз с, п В |
| Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии |
0,8 Uз с, п В |
| Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии |
0,75 Uз с, п В |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение |
400-1600 В |
| Неповторяющееся импульсное обратное напряжение |
1,12 Uобр. п В |
| Рабочее импульсное обратное напряжение |
0,8 Uобр. п В |
| Максимально допустимое постоянное обратное напряжение |
0,75 Uобр. п В |
| Максимальное напряжение изоляции основания модуля |
2500 В |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Uзс, и=0,67Uзс, п, Rу=∞, Тп=100°С |
100 В/мкс |
| Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при ƒ=50 Гц, β=180°, Тп=70°С |
160 А |
| Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при ƒ=50 Гц, Тп=70°С |
250 А |
| Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Uобр=0, τи=10 мс, Тп=100°С |
3,2 кА |
| Максимально допустимый постоянный ток управления |
100 мА |
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии
при Uзс, и=0,67Uзс, п, Iо с, и=2Iо с, ср max, ƒ=1-5 Гц, Iу, пр, п=400-600 мА, ty=50 мкс, Тп=100°С |
70 А/мкс |
| Температура перехода |
От -50 до +100°С |
| Температура хранения |
От -50 до +50°С |
|
