|
|
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Тиристоры ТС112-10, ТС112-16
Тиристоры ТС112-10, ТС112-16 симметричные (симисторы) кремниевые диффузионные p-n-p-n-p. Предназначены для применения в системах и устройствах бесконтактной коммутации и регулирования электроэнергии, а также в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жёсткими силовыми выводами. Анодом является основание.
Масса тиристора (симистора) не более 6 гр.
 Чертёж симистора ТС112-10, ТС112-16Электрические параметры.
| Импульсное напряжение в открытом состоянии при Iо с, и=1,41 Iо с, д макс, τи=10 мс, не более |
1,85 В |
| Отпирающее постоянное напряжение управления при Uз с=12 В, не более |
| Тп=-60°С, Iу, от=0,34 А |
5,6 В |
| Тп=-50°С, Iу, от=0,30 А |
5,0 В |
| Тп=25°С, Iу, от=0,10 А |
3,0 В |
| Неотпирающее постоянное напряжение управления при Uз с, и=Uзс, п, Rу=10 Ом, Тп=125°С, не менее |
0,25 В |
| Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при Uзс, и=Uзс, п, Rу=∞, Тп=125°С, не более |
3,0 мА |
| Отпирающий постоянный ток управления при Uз с=12 В, не более |
| Тп=-60°С |
0,34 А |
| Тп=-50°С |
0,30 А |
| Тп=25°С |
0,10 А |
| Неотпирающий постоянный ток управления при Uз с, и=0,67Uзс, п, Rу=10 Ом, Тп=125°С, не менее |
2,0 мА |
| Время включения при Uз с=100 В, Iо с, и=Iо с, д макс, Iу,, и=0,3 А, diy/dt=1 А/мкс, τу=50 мкс, не более |
12 мкс |
| Время задержки при Uз с=100 В, Iо с, и=Iо с, д макс, Iу,, и=0,3 А, diy/dt=1 А/мкс, τу=50 мкс, не более |
5,0 мкс |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, не более |
| ТС112-10 |
2,50°С/Вт |
| ТС112-16 |
1,55°С/Вт |
Предельные эксплуатационные данные.
| Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии |
100-1200 В |
| Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии |
1,11 Uзс, п В |
| Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии |
0,8 Uзс, п В |
| Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии |
0,6 Uзс, п В |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Uз с, и=0,67Uзс, п, Rу=∞, Тп=125°С |
| группа 1 |
50 В/мкс |
| группа 2 |
100 В/мкс |
Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения при
Uз с, и=0,67Uзс, п, Iо с, и=Iо с, д макс, Iу,, и=0,3 А, diy/dt=1 А/мкс, τу=50 мкс, Rу=50 Ом, Тп=125°С |
| группа 1 |
2,5 В/мкс |
| группа 2 |
4,0 В/мкс |
| группа 3 |
6,3 В/мкс |
| группа 4 |
10,0 В/мкс |
| Максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления |
0,2 В |
| Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при ƒ=50 Гц, β=180°, Тк=85°С |
| ТС112-10 |
10 А |
| ТС112-16 |
16 А |
| Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Uобр=0, τи=10 мс, Тп=125°С |
| ТС112-10 |
90 А |
| ТС112-16 |
120 А |
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при
Uз с, и=0,67Uз с, п, Iо с, и=2 Iо с,д, макс, ƒ=1-5 Гц, τу=50 мкс, Iу, и=0,3 А, τу, нр=1 мкс, Rу=30 Ом, Тп=125°С |
50 А/мкс |
| Минимально допустимый импульсный ток управления |
0,45 А |
| Максимально допустимый импульсный ток управления |
4,0 А |
| Температура перехода |
| для исполнения УХЛ |
От -60 до 125°С |
| для исполнения У |
От -50 до 125°С |
| Температура корпуса |
| для исполнения УХЛ |
От -60 до 125°С |
| для исполнения У |
От -50 до 125°С |
Указания по монтажу.
Чистота обработки поверхности охладителя не хуже 1,25. Время пайки выводов символического катода и управления паяльником мощностью 50-60 Вт при температуре припоя до 220°С не должно превышать 5 секунд. Закручивающий момент не более 0,8±0,08 Н•м.
|
