Транзисторы кремниевые диффузионно-сплавные n-p-n мощные. Предназначены для работы в схемах кадровой и строчной развёрток, вторичных источниках питания.

Блоки из кремниевых диффузионных диодов. Данная диодная сборка выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p маломощные. Предназначены для работы в усилительных и импульсных схемах.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p маломощные. Предназначены для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные. Предназначены для применения при включении с общей базой в схемах усилителей мощности и генераторах на частотах от 1 до 3 ГГц при напряжении питания до 20 В герметизированной аппаратуры.

Диод кремниевый точечный. Предназначен для работы в умножителях частоты дециметрового диапазона.

Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования СВЧ импульсных амплитудно-модулированных сигналов, индикации импульсной СВЧ мощности.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах усиления высокочастотных сигналов.

Тиристоры кремниевые диффузионные p-n-p-n триодные незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей.

Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования импульсных амплитудно-модулированных колебаний, индикации импульсной мощности на частотах до 15500 МГц.