Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности, в том числе при амплитудной модуляции в умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В.

Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования сигналов в диапазоне волн от 2,7 и более.

Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования сигналов в диапазоне волн от 6 до 60 см.

Диоды германиевые точечные. Предназначены для детектирования сигналов в диапазоне волн от 2,7 до 60 см.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n высокочастотные генераторные. Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 1,5-30 МГц при напряжении питания 28 В.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p усилительные высокочастотные. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты.

Стабилитроны кремниевые планарные импульсные. Предназначены для применения в схемах стабилизации постоянного и импульсного напряжения и ограничения импульсов напряжения с длительностью фронта не менее 5 нс.

Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования СВЧ сигналов.

Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования сигналов в диапазоне волн от 1,8 до 3,2 см.

Стабисторы кремниевые сплавные. Предназначены для работы в стабилизаторах напряжения и в качестве термокомпенсирующих элементов.