Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n переключательный. Предназначены для быстродействующих импульсных и высокочастотных усилительных схем.

Диодная матрица, состоящая из кремниевых планарных диодов. Матрица состоит из 16 диодов с общим анодом. Катоды диодов соединены с выводами 1-16, выводы анода - 17, 18.

Стабилитроны кремниевые диффузионно-сплавные прецизионные. Предназначены для применения в качестве источников опорного напряжения. Выпускаются в пластмассовых корпусах с гибкими выводами.

Стабилитроны кремниевые сплавные. У стабилитронов, в обозначении типа которых отсутствует буква П, корпус является отрицательным электродом. У стабилитронов, имеющих в обозначении буквы П, полярность обратная.

Стабилитроны кремниевые сплавные.

Стабилитроны кремниевые диффузионные. У стабилитронов, в обозначении которых отсутствует буква П, корпус является отрицательным электродом. У стабилитронов, имеющих в обозначении букву П, полярность обратная.

Стабилитроны кремниевые диффузионные. У стабилитронов, в обозначении которых отсутствует буква П, корпус является отрицательным электродом. У стабилитронов, имеющих в обозначении букву П, полярность обратная.

Стабилитроны кремниевые диффузионные. У стабилитронов, в обозначении которых отсутствует буква П, корпус является отрицательным электродом. У стабилитронов, имеющих в обозначении букву П, полярность обратная.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях НЧ, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.