Диоды кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.

Диоды кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Шотки. Предназначены для применения в низковольтных вторичных источниках электропитания на частотах 10...200 кГц.

Диоды кремниевые сплавные. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Диоды кремниевые, диффузионные. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для применения в переключательных, усилительных и генераторных схемах радиоэлектронной аппаратуры.

Транзистор кремниевый диффузионный n-p-n усилительный высокочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах радиовещательных и телевизионных приёмников.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.

Транзисторы германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным (МП35, МП37, МП38, МП38А) и нормированным на частоте 1 кГц (МП36А) коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах.