|
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Транзисторы типа: МП25, МП25А, МП25Б
Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные: МП25, МП25А, МП25Б. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 2 гр.
Чертёж транзистора МП25, МП25А, МП25Б
Электрические параметры.
Предельная частота коэффициента передачи тока, не менее |
МП25, МП25А при UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА |
250 кГц |
МП25Б при UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА |
500 кГц |
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при ƒ=1 кГц |
при Т=19,85°С, UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА |
МП25 |
10-25 |
МП25А |
20-50 |
МП25Б |
30-80 |
при Т=-60,15°С, UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА |
МП25 |
6-25 |
МП25А |
10-50 |
МП25Б |
15-80 |
при Т=69,85°С, UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА |
МП25 |
10-50 |
МП25А |
20-100 |
МП25Б |
30-142 |
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при ƒ=50 Гц, не менее |
МП25, МП25А, МП25Б |
60 В |
Обратный ток коллектора, не более |
при Т=19,85°С, UКБ=40 В МП25, МП25А, МП25Б |
75 мкА |
при Т=69,85°С, UКБ=40 В МП25, МП25А, МП25Б |
600 мкА |
Обратный ток эмиттера при Т=19,85°С, не более |
при UЭБ=40 В МП25, МП25А, МП25Б |
75 мкА |
Сопротивление базы при ƒ=500 кГц, не более |
при UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА |
150 Ом |
Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала при холостом ходе при ƒ=1 кГц, не более |
при UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА |
3,5 мкСм |
Ёмкость коллекторного перехода при ƒ=465 кГц, не более |
при UКБ=20 В МП25, МП25А, МП25Б |
70 пФ |
Предельные эксплуатационные данные.
Постоянное напряжение коллектор-база |
МП25, МП25А, МП25Б |
40 В |
Постоянное напряжение коллектор-база при Т≤49,85, Pмакс≤100 мВт |
МП25, МП25А, МП25Б |
60 В |
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ≤500 Ом |
40 В |
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Т≤49,85°С, макс≤100 мВт, RЭБ≤500 Ом |
МП25, МП25А, МП25Б |
60 В |
Постоянное напряжение эмиттер-база |
40 В |
Импульсный ток коллектора |
400 мА |
Импульсный ток эмиттера |
400 мА |
Среднее значение тока эмиттера |
80 мА |
Постоянная рассеиваемая мощность |
при Т=213-308 К |
200 мВт |
при Т=69,85°С, Р≥6666 Па |
25 мВт |
при Т=69,85°С Р<665 Па |
16,7 мВт |
Общее тепловое сопротивление |
при р≥6666 Па |
200 К/Вт |
при р=665-6666 Па |
300 К/Вт |
Температура перехода |
74,85°С |
Температура окружающей среды |
От -60,15 до 69,85°С |
1. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от тока эмиттера. 2. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от напряжения коллектор-база.
1. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от тока эмиттера. 2. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от напряжения коллектор-база.
1. Зависимость относительного пробивного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления в цепи эмиттер-база. 2. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от температуры.
1. Зависимость относительного пробивного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления в цепи эмиттер-база. 2. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от температуры.
|