|
Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные: МП25, МП25А, МП25Б. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 2 гр.
Чертёж транзистора МП25, МП25А, МП25Б
Электрические параметры.
| Предельная частота коэффициента передачи тока, не менее |
| МП25, МП25А при UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА |
250 кГц |
| МП25Б при UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА |
500 кГц |
| Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при ƒ=1 кГц |
| при Т=19,85°С, UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА |
| МП25 |
10-25 |
| МП25А |
20-50 |
| МП25Б |
30-80 |
| при Т=-60,15°С, UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА |
| МП25 |
6-25 |
| МП25А |
10-50 |
| МП25Б |
15-80 |
| при Т=69,85°С, UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА |
| МП25 |
10-50 |
| МП25А |
20-100 |
| МП25Б |
30-142 |
| Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при ƒ=50 Гц, не менее |
| МП25, МП25А, МП25Б |
60 В |
| Обратный ток коллектора, не более |
| при Т=19,85°С, UКБ=40 В МП25, МП25А, МП25Б |
75 мкА |
| при Т=69,85°С, UКБ=40 В МП25, МП25А, МП25Б |
600 мкА |
| Обратный ток эмиттера при Т=19,85°С, не более |
| при UЭБ=40 В МП25, МП25А, МП25Б |
75 мкА |
| Сопротивление базы при ƒ=500 кГц, не более |
| при UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА |
150 Ом |
| Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала при холостом ходе при ƒ=1 кГц, не более |
| при UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА |
3,5 мкСм |
| Ёмкость коллекторного перехода при ƒ=465 кГц, не более |
| при UКБ=20 В МП25, МП25А, МП25Б |
70 пФ |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-база |
| МП25, МП25А, МП25Б |
40 В |
| Постоянное напряжение коллектор-база при Т≤49,85, Pмакс≤100 мВт |
| МП25, МП25А, МП25Б |
60 В |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ≤500 Ом |
40 В |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Т≤49,85°С, макс≤100 мВт, RЭБ≤500 Ом |
| МП25, МП25А, МП25Б |
60 В |
| Постоянное напряжение эмиттер-база |
40 В |
| Импульсный ток коллектора |
400 мА |
| Импульсный ток эмиттера |
400 мА |
| Среднее значение тока эмиттера |
80 мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность |
| при Т=213-308 К |
200 мВт |
| при Т=69,85°С, Р≥6666 Па |
25 мВт |
| при Т=69,85°С Р<665 Па |
16,7 мВт |
| Общее тепловое сопротивление |
| при р≥6666 Па |
200 К/Вт |
| при р=665-6666 Па |
300 К/Вт |
| Температура перехода |
74,85°С |
| Температура окружающей среды |
От -60,15 до 69,85°С |
1. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от тока эмиттера. 2. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от напряжения коллектор-база.
1. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от тока эмиттера. 2. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от напряжения коллектор-база.
1. Зависимость относительного пробивного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления в цепи эмиттер-база. 2. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от температуры.
1. Зависимость относительного пробивного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления в цепи эмиттер-база. 2. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от температуры.
Вернуться назад
|