Диоды кремниевые диффузионные. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p высокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления, генерирования и переключения сигналов низкой и высокой частот, являются комплементарными транзисторами КТ3102-3.

Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 50 кГц в постоянное.

Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные n-p-n-p-n триодные незапираемые. Предназначены для работы в качестве симметричных ключей средней мощности для устройств автоматического регулирования и коммутации цепей силовой автоматики на переменном токе.

Транзисторы кремниевые диффузионно-сплавные n-p-n мощные. Предназначены для работы в схемах кадровой и строчной развёрток, вторичных источниках питания.

Блоки из кремниевых диффузионных диодов. Данная диодная сборка выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p маломощные. Предназначены для работы в усилительных и импульсных схемах.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p маломощные. Предназначены для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные. Предназначены для применения при включении с общей базой в схемах усилителей мощности и генераторах на частотах от 1 до 3 ГГц при напряжении питания до 20 В герметизированной аппаратуры.

Диод кремниевый точечный. Предназначен для работы в умножителях частоты дециметрового диапазона.