Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p низкочастотные усилительные маломощные.

Пакетные выключатели, предназначены для работы в электрических цепях напряжением до 380 В, переменного тока частотой 50, 60 и 400 Гц, и до 220 В постоянного тока

Тиристоры кремниевые планарные p-n-p-n гибридные триодные незапираемые пороговые. Предназначены для использования в релаксационных устройствах.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p высокочастотные универсальные. Предназначены для работы в усилителях коротковолнового диапазона и переключающих схемах.

Диоды кремниевые точечные. Предназначены для работы в преобразователях частоты диапазона волн 3 см.

Диоды германиевые туннельные мезасплавные. Предназначены для работы в усилителях на частотах до 10 ГГц.

Варикапы кремниевые сплавные.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Светоизлучающие диоды фосфид-галлиевые эпитаксиальные бескорпусные. Предназначены для использования в индикаторах, оптопарах, гибридных микросхемах.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n маломощные универсальные.