Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования СВЧ импульсных амплитудно-модулированных сигналов, индикации импульсной СВЧ мощности.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах усиления высокочастотных сигналов.

Тиристоры кремниевые диффузионные p-n-p-n триодные незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей.

Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования импульсных амплитудно-модулированных колебаний, индикации импульсной мощности на частотах до 15500 МГц.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности, в том числе при амплитудной модуляции в умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В.

Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования сигналов в диапазоне волн от 2,7 и более.

Диод кремниевый точечный. Предназначен для детектирования сигналов в диапазоне волн от 6 до 60 см.

Диоды германиевые точечные. Предназначены для детектирования сигналов в диапазоне волн от 2,7 до 60 см.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n высокочастотные генераторные. Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 1,5-30 МГц при напряжении питания 28 В.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p усилительные высокочастотные. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты.