Электроузел - ресурс, связанный с электричеством.

Здесь можно узнать, как подключить то или иное оборудование, отремонтировать его, использовать в нестандартных режимах. Узнать принцип работы различных устройств. Прочитать оригинальные или модифицированные электросхемы и подробное описание к ним.
Стартовая Избранное
Где мы?
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Транзистор типа: КТ803А, 2Т803А

Транзистор типа: КТ803А, 2Т803А

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n мощные универсальные: КТ803А, 2Т803А. Предназначены для работы в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развёртки, источниках питания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.

Масса транзистора не более 22 гр., с накидным фланцем не более 34 гр.

Чертёж транзистора КТ803А, 2Т803АЧертёж транзистора КТ803А, 2Т803А

Электрические параметры.

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=10 В, IЭ=0,5 А, не более 20 МГц
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=10 В, IК=5 А
КТ803А 10-70
2Т803А 10-50
при Тк=-60,15°С 2Т803А 6-50
при Тк=-40,15°С КТ803А, не менее 6
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=5 А, IБ=1 А 0,5-1,75-2,5 В
Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером при UКЭ=10 В, IК=5 А, не менее 2 А/В
Время включения при UКЭ=40 В, IК=6 А, τи=0,5-10 мкс 0,1-0,3 мкс
Время выключения при UКЭ=40 В, IК=6 А, τи=0,5-10 мкс 0,1-0,4 мкс
Время рассасывания при IК=1,5 А, Киас=2, Rн=10 Ом, τи=10 мкс 0,6-2,5 мкс
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В 300-400-500 пФ
Обратный ток коллектор-эмиттер при RЭБ≤100 Ом
при Тк=-60,15°С и 24,85°С, UКЭ=70 В 5 мА
при Тк=124,85°С, UКЭ=60 В 15 мА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=4 В, не более
2Т803А 20 мА
КТ803А 50 мА

Предельные эксплуатационные данные КТ803А, 2Т803А.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ≤100 Ом 60 В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при UЭБ=2 В, τи≤10 мкс, Q≥2 80 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 4 В
Постоянный ток коллектора 10 А
Постоянная рассеиваемая мощность транзистора
при Тк=213÷323 К 2Т803А 60 Вт
при Тк=233÷323 К КТ803А 60 Вт
при Тк=99,85°С КТ803А 30 Вт
при Тк=124,85°С 2Т803А 15 Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус 1,66 К/Вт
Температура перехода 149,85°С
Температура окружающей среды
2Т803А От -60,15 до Тк=124,85°С
КТ803А От -40,15 до Тк=99,85°С

Примечание. При температуре корпуса более 49,85°С рассеиваемая мощность транзистора КТ803А, 2Т803А, Вт, рассчитывается по формуле:

Рмакс=60-(Тк-323)/Rтп к.

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер. 2. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 3. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. 4. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер. 2. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 3. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. 4. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер. 2. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 3. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. 4. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.




 
Карта сайта