Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные мощные.

Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный. Предназначен для применения в качестве высокочастотных детекторов. Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами.

Транзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях промежуточной и высокой частот.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты.

Модуль силовой полупроводниковый МТОТО160 на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.

Транзисторы кремниевые мезапланарные n-p-n переключательные. Предназначены для работы в ключевых и импульсных устройствах.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, предназначены для применения в каскадах предварительного усиления и в переключающих устройствах.

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в усилителях низкой частоты.