Электроузел - ресурс, связанный с электричеством.

Здесь можно узнать, как подключить то или иное оборудование, отремонтировать его, использовать в нестандартных режимах. Узнать принцип работы различных устройств. Прочитать оригинальные или модифицированные электросхемы и подробное описание к ним.
Стартовая Избранное
Где мы?
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Транзисторы типа: КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные маломощные: КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1. Предназначены для использования в ключевых и линейных гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках радиоэлектронной герметизированной аппаратуры.

Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами с защитным покрытием.

Масса транзистора без упаковочной тары не более 0,01 грамма.

Чертёж транзистора КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1Чертёж транзистора КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1

Электрические параметры КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1.

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при UКБ=5 В, IЭ=10 мА
КТ215А-1 не менее 20
КТ215Б-1 30-90
КТ215В-1, КТ215Г-1 40-120
при UКБ=1 В, IЭ=40 мкА, не менее
КТ215Д-1 80
КТ215Е-1 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=10 мА, IБ=1 мА КТ215Д-1, КТ215Е-1, не более 0,6 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=10 мА, IБ=1 мА КТ215Д-1, КТ215Е-1, не более 1,2 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IБ=1 мА, IЭ=0 КТ215Д-1, КТ215Е-1 0,3-2,5 В
Входное сопротивление в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала при UКЭ=5 В, IК=2 мА, ƒ=800 Гц 1,2-10 кОм
типовое значение 1,5 кОм
Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0,5 В, ƒ=500 кГц 9,6-100 пФ
типовое значение 40 пФ
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В, ƒ=500 кГц 9,5-50 пФ
типовое значение 12 пФ
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=10 кОм, UКЭ=30 В, Т=84,85°С, не более 100 мА

Предельные эксплуатационные данные КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер
КТ215А-1, КТ215Б-1 80 В
КТ215В-1 60 В
КТ215Г-1 40 В
КТ215Д-1 30 В
КТ215Е-1 20 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 5 В
Постоянный ток коллектора 50 мА
Импульсный ток коллектора при τи≤10 мс, Q≥100 100 мА
Постоянный ток базы 20 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т=34,85°С 50 мВт
при Т=84,85°С 20 мВт
Температура перехода 124,85°С
Тепловое сопротивление переход-кристалл 0,1 К/мВт
Температура окружающей среды От -40,15 до 84,85°С

Допустимая температура пайки транзисторов в гибридные схемы не должна превышать 158,85°С в течение 30 секунд.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера и зависимость статического коэффициента передачи тока от температурыЗависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера и зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера и зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры.

Зависимость коэффициента шума от тока эмиттера и зависимость коэффициента шума от выходного сопротивления генератораЗависимость коэффициента шума от тока эмиттера и зависимость коэффициента шума от выходного сопротивления генератора

Зависимость коэффициента шума от тока эмиттера и зависимость коэффициента шума от выходного сопротивления генератора.




 
Карта сайта