Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p универсальный высокочастотный маломощный. Предназначен для переключения и усиления сигналов высокой частоты.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p лавинные маломощные. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных схемах.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p высокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления, генерирования и переключения сигналов низкой и высокой частот, являются комплементарными транзисторами КТ3102-3.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p маломощные. Предназначены для работы в усилительных и импульсных схемах.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p маломощные. Предназначены для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах усиления высокочастотных сигналов.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p усилительные высокочастотные. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты.

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные.