Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p маломощные. Предназначены для работы в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры.

Транзистор германиевый сплавной p-n-p универсальный низкочастотный мощный. Предназначен для работы в схемах усилителей мощности низкой частоты, в импульсных и ключевых схемах.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p мощные сверхвысокочастотные.

Транзисторы германиевые эпитаксиально-планарные p-n-p СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 180 МГц. Предназначены для усиления сигналов в метровом диапазоне длин волн с автоматической регулировкой усиления.

Транзисторы кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным (МП39, МП40, МП40А, МП41, МП41А и нормированным (МП39Б) коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p низкочастотные усилительные маломощные. Предназначены для работы в низкочастотных усилительных устройствах.

Транзисторы германиевые p-n-p низкочастотные усилительные маломощные. Предназначены для работы в низкочастотных усилительных устройствах.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p маломощные низкочастотные. Предназначены для работы в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры.