Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p мощные сверхвысокочастотные.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n усилительные высокочастотные маломощные: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И. Предназначены для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты.

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Маркируется зелёной точкой на корпусе.

Транзисторы германиевые эпитаксиально-планарные p-n-p СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 180 МГц. Предназначены для усиления сигналов в метровом диапазоне длин волн с автоматической регулировкой усиления.

Транзисторы кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным (МП39, МП40, МП40А, МП41, МП41А и нормированным (МП39Б) коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n СВЧ усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначен для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p низкочастотные усилительные маломощные. Предназначены для работы в низкочастотных усилительных устройствах.