Транзисторы > Транзисторы: МП13, МП13Б, МП14, МП15, МП15А
Транзисторы: МП13, МП13Б, МП14, МП15, МП15А |
Транзисторы маломощные низкочастотные типа: МП13, МП13Б, МП14, МП15, МП15А Соответствуют частным техническим условиям 0.336.007 ТУ1 Вес не более 2 гр. Характеристика транзистора МП13, МП13Б, МП14, МП15, МП15А. Примечания: 1.При отсутствии запирающего смещения 2.При повышении температуры Pт снижается по линейному закону. 3.Значение не нормируется. Указания хранения транзисторов. Складские условия: - температура окружающего воздуха от +5 до +35 градусов по Цельсию; - относительная влажность до 85%; - отсутствие в воздухе кислотных и других агрессивных примесей. Полевые условия: - температура окружающего воздуха может изменяться в пределах от -50 до +50 градусов; - относительная влажность до 98% при температуре +30 градусов. Гарантии. Предприятие-изготовитель гарантирует срок службы транзисторов 10 000 часов. Срок хранения 12 лет. Гарантийный срок исчисляется с момента отгрузки транзисторов. Указания и рекомендации по эксплуатации. 1.Рекомендуется эксплуатировать транзисторы: а)в диапазоне температур от -50 до +60; б)при токе коллектора не более 0,9 ic max, напряжении коллектора не более0,7 uc max и мощности рассеивания не более 0,7 Pт max, где ic max, Uc max, Pт max – максимально-допустимые значения тока, напряжения и мощности для данной температуры. 2.Разрешается производить пайку выводов транзисторов на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с применением спирто-канифольного флюса ФКСп по нормам НО.054.063 состава: канифоль - 40%, спирт этиловый – 60%. Пайку погружением в расплавленный припой следует производить не более 2 – 3 сек. при температуре припоя не выше +260 градусов по Цельсию. При пайке паяльником должен быть обеспечен надежный теплоотвод между местом пайки и корпусом транзистора. Пайку производить паяльником мощностью не более 30 вт в течение времени не более 5 сек. при температуре пайки не выше 260 градусов. (Корпус паяльника должен быть заземлен). Перед пайкой необходимо производить протирание выводов спиртом. 3.Изгиб выводов должен производиться на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора с использованием специального приспособления так, чтобы отсутствовали механические напряжения выводов в месте спая стекла с металлом. 4.Для низкошумящих транзисторов наименьший уровень шумов обеспечивается при пониженном напряжении коллектора и токе эмиттера 0,2-0,5 ма. Вернуться назад |