Транзисторы маломощные низкочастотные типа: МП13, МП13Б, МП14, МП15, МП15А
Соответствуют частным техническим условиям 0.336.007 ТУ1


Вес не более 2 гр.
Характеристика транзистора МП13, МП13Б, МП14, МП15, МП15А.




Примечания:
1.При отсутствии запирающего смещения Формула

2.При повышении температуры Pт снижается по линейному закону.
3.Значение не нормируется.

Указания хранения транзисторов.

Складские условия:
- температура окружающего воздуха от +5 до +35 градусов по Цельсию;
- относительная влажность до 85%;
- отсутствие в воздухе кислотных и других агрессивных примесей.

Полевые условия:
- температура окружающего воздуха может изменяться в пределах от -50 до +50 градусов;
- относительная влажность до 98% при температуре +30 градусов.

Гарантии.

Предприятие-изготовитель гарантирует срок службы транзисторов 10 000 часов.
Срок хранения 12 лет.
Гарантийный срок исчисляется с момента отгрузки транзисторов.

Указания и рекомендации по эксплуатации.

1.Рекомендуется эксплуатировать транзисторы:
а)в диапазоне температур от -50 до +60;
б)при токе коллектора не более 0,9 ic max, напряжении коллектора не более0,7 uc max и мощности рассеивания не более 0,7 Pт max, где ic max, Uc max, Pт max – максимально-допустимые значения тока, напряжения и мощности для данной температуры.
2.Разрешается производить пайку выводов транзисторов на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с применением спирто-канифольного флюса ФКСп по нормам НО.054.063 состава: канифоль - 40%, спирт этиловый – 60%.
Пайку погружением в расплавленный припой следует производить не более 2 – 3 сек. при температуре припоя не выше +260 градусов по Цельсию.
При пайке паяльником должен быть обеспечен надежный теплоотвод между местом пайки и корпусом транзистора. Пайку производить паяльником мощностью не более 30 вт в течение времени не более 5 сек. при температуре пайки не выше 260 градусов. (Корпус паяльника должен быть заземлен). Перед пайкой необходимо производить протирание выводов спиртом.
3.Изгиб выводов должен производиться на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора с использованием специального приспособления так, чтобы отсутствовали механические напряжения выводов в месте спая стекла с металлом.
4.Для низкошумящих транзисторов наименьший уровень шумов обеспечивается при пониженном напряжении коллектора и токе эмиттера 0,2-0,5 ма.